温补晶振关键参数介绍

温补晶振关键参数介绍

温补晶振在实际应用中,除了标称频率、PPM精度值、温度稳定性等主要参数以外,还有一些其它重要参数需要注意,总结如下:

1、频率准确度

在标准电源电压,标准负载电容阻抗,基准温度(25℃)以及其他条件保持不变的情况下, 温补晶振的频率精度可以达到±0.5PPM及以上。

2、温度稳定度

其它规格条件保持不变,在规定温度范围内石英晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值,即(Fmax-Fmin)/(Fmax+Fmin)。

3、频率调节范围

通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围,调频(压控)特性 包括调频频偏、调频灵敏度及调频线性度。

调频频偏:压控振荡器控制电压由标称的最大值变化到最小值时输出频率差;

调频灵敏度:压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量;

调频线性度:是一种与理想直线(最小二乘法)相比较的调制系统传输特性的量度。

4、负载特性

其他条件保持不变,负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。

5、电压特性
其他条件保持不变,电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。

6、杂波

输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比,用dBc表示。

7、谐波
谐波分量功率Pi与载波功率P0之比,用dBc表示。

8、频率老化

在规定的环境条件下,由于晶振及相关电子元器件老化而引起的输出频率随时间的变化而漂移的程度。通常用某一时间间隔内的频差来衡量。对于高稳定晶振,由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移,往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来衡量。

9、日波动
指振荡器经过规定的预热时间后,每隔一小时测量一次,连续测量24小时,将测试数据按S=(fmax-fmin)/f0式计算,得到日波动。

10、开机特性
在规定的预热时间内,晶振频率值的最大变化,用V=(fmax-fmin)/f0表示。

11、相位噪声
短期稳定度的频域量度,用单边带噪声与载波噪声之比£(f)表示,£(f)与噪声起伏的频谱密度Sφ(f)和频率起伏的频谱密度Sy(f)直接相关,由下式表示: f2S(f)=f02Sy(f)=2f2£(f),傅里叶频率或偏离载波频率;f0—载波频率。

关于晶诺威科技产温补晶振TCXO常规电气参数的解释与说明

晶诺威产高精度温补晶振TCXO频点及应用介绍Type and Dimension型号(尺寸):

温补晶振TCXO外形尺寸及安装方式均为都符合标准件要求。

注:DIP14表示全尺寸(长方形),DIP8表示是半尺寸(正方形)。

晶诺威科技产温补晶振TCXO主要特性:

温补晶振关键参数介绍

Tolerance调整频差(at 25℃):±1ppm~±0.1ppm

Tolerance vs Temperature温度稳定度(-40~85℃): ±2ppm ~±0.5ppm

Voltage 工作电压:2.8V、3.3V或5V或定制。

Output Type输出波形: 通常情况下,数字电路默认和常用的是方波(TLL和COMS 兼容)。

关于晶诺威科技产温补晶振TCXO输出波形的进一步解释:

方波(CMOS/TTL):

方波的输出直流电压一般为晶振电源的一半(若电源为5V,方波直流电压一般为2.5V,用万用表可测量)。

正弦波(SINE WAVE)

关于温补晶振TCXO的正弦波输出应用比较少,其幅值一般大于1V/50Ω。

关于晶诺威科技产温补晶振TCXO频率微调方式介绍如下:

1、机械调节:由晶体振荡器外壳开孔的电位器机械调节,调节范围一般±5ppm左右,默认是机械微调。

2、电压调节:由加在一号脚的电压来调节,一般电源电压的一半时,频率在中心,调节范围一般±5ppm左右。

3、无调节:频率固定,无频率调节功能。

关于其它温补晶振频点和技术问题,请咨询我司客服。

 

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