常见晶体振荡器类别介绍与使用说明

常见晶体振荡器类别介绍与使用说明

晶体振荡器(Oscillator),又称有源晶振或钟振,其原理是将振荡电路和晶体集成在一个封装内,加电即可输出时钟信号,频率精度较高,价格也略高。

常用晶体振荡器的技术指标:

(1) 基准频率:晶振在完全理想条件下的振荡频率。

(2) 工作电压:晶振的工作需要外部提供一定的电源电压,晶振输出的时钟信号上的噪声与电源再说紧密相关,因此在晶振器件资料上,对电源的质量有一定的要求。

(3) 输出电平:晶振与晶体相比,最为突出的一点就是只要上电,就直接输出时钟信号。时钟信号的电平也多种多样,支持的电平主要包括:TTL、CMOS、HCMOS、LVCOMS、LVPECL、LVDS等。在选型中,应根据所需时钟电平的种类选择相应的晶振。

(4) 工作温度范围:根据环境温度要求的不同,应选择对应的工作温度范围。

(5) 频率精度:对应不同的工作温度范围,可选择不同的频率精度。以±15ppm@-20~70℃为例,其含义是,在-20~70℃温度范围内,该晶振输出频率相对基准频率的偏差不会超过15ppm。该参数是晶振的重要参数,包含了由于温度变化、电源电压波动、负载变化等因素引起的频率偏差。

(6) 老化度:在恒定的外接条件下测量晶振频率,频率精度与时间之间的关系。

(7) 启动时间:从上电到晶振输出频率的偏差达到规定的频率精度所需要的时间。

(8) 时钟抖动(Jitter):在后面内容详细介绍。

(9) 相位噪声:在后面内容详细介绍。

晶体振荡器的常用类型包括以下几类:

(1) 普通封装晶体振荡器(SPXO)

它无温度补偿功能,也无电压控制功能,其频率特性完全取决于晶体以及外部振荡电路。标准频率为1~100MHz,频率精度最高可达±10ppm。由于SPXO不包含任何频率补偿功能,因此是晶振中精度最差的一个种类,价格低廉,通常作为微处理器的时钟器件。在PCB布局时,SPXO器件应远离发热源。

(2) 压控式晶体振荡器(VCXO)

VCXO是通过外部施加控制电压时振荡频率可调的晶体振荡器。它的特点:输出频率可以通过输入电压控制,一般控制范围为±50~±200ppm。工作原理:通过改变外加调整电压的大小,能改变容性负载CL的值,从而实现频率的调整。由于VCXO的具有振荡频率可调整的特点,所以用频率—温度稳定度来定义环境温度变化对频偏的影响。由于VCXO不具备温度补偿功能,因此在PCB布局时,VCXO器件应远离发热源。VCXO除了电源电源外,还需要控制电压,以调整输出频率,当控制电压调整为中央电压时,VCXO输出标称的基准频率。VCXO常用在锁相环电路中。

(3) 温度补偿晶体振荡器(TCXO)

TCXO是利用附件的温度补偿电路以减少环境温度对振荡频率的影响,其特点是频率精度远远高于SPXO和VCXO。工作原理:利用热敏电阻的温度敏感性,当温度变化时,热敏电阻的阻值和容性负载同时发生变化,而容性负载的变化会改变振荡频率,从而实现对振荡频率的修正。

(4) 恒温晶体振荡器(OCXO)

将晶体和振荡电路置于恒温箱中,以消除环境温度变化对频率的影响。频率精度为10-10~10-8量级。频率稳定度在四种类型振荡器中最高。

不同的特性决定了四种类型晶振的应用场合:如果需要设备即开即用,需选用SPXO、VCXO和TCXO。OCXO晶振需要一定的稳定时间。如果要求时钟信号较高的稳定度,推荐使用TCXO和OCXO。

附:晶振知识

1、 标称频率

标称频率指的是在正常匹配的振荡电路下,晶振中的石英晶片振动的频次,表示为MHz或KHz。例如:石英晶片在1秒内振动了一百万次,那么该频率为1MHz。

2、 调整频差

指晶振在常温(25℃)下,实际输出频率与标称频率之间允许的最大偏差。晶振在标准温度下的频率误差范围。这个误差通常用ppm(百万分之一)来表示。例如:标称频率为10MHz的晶振,如果调整频差为±10ppm,实际频率可能在9.9999MHz到10.0001MHz之间波动。调整频差越小,晶振的频率精度越高。

3、 温度频差

指晶振在工作温度范围内,实际输出频率与标称频率之间允许的最大偏差。晶振在不同温度下工作时,频率可能会因为温度变化而产生一定的波动。这个偏差通常也用ppm(百万分之一)来表示。例如:晶振的温度频差为±20ppm,规定的温度范围内,实际频率可能会比标称频率高或低最多20ppm。温度频差越小,晶振的频率稳定性越好,受温度变化的影响越小。

4、 工作温度范围

工作温度范围是晶振能正常工作的温度区间,在这个范围内晶振的频率偏差和其它性能都能保持正常。比如,晶振的工作温度范围是-40℃到+85℃,在这个区间内就能稳定运行。超出这个范围,频率稳定度将无法保障。工作温度范围越宽,晶振就越能适应不同的温度环境。

5、 储存温度范围

指晶振在不工作(没通电)时,能安全存放的温度范围,一个晶振的储存温度范围是-55℃到+125℃。但如果超出这个范围长期存储,晶振电气性能可能会变差。储存温度范围一般比工作温度范围更宽,是为了让晶振在运输或存放时更安全。

6、 负载电容

负载电容是指与晶振串联的外部电容,它会直接影响晶振的谐振频率。负载电容是由外部电容和电路中的杂散电容共同决定的。负载电容就像是晶振的“调频器”——当负载电容发生变化时,晶振的输出频率也会随之改变。

常见的负载电容值有:6pF、8pF、9pF、10pF、12pF、12.5pF、15pF、18pF、20pF等。不同的负载电容值适用于不同的电路设计需求。

负载电容的计算公式为:CL = (Cg × Cd) / (Cg + Cd) + Cs。

· Cg 和 Cd 是晶振两个引脚上连接的外部电容值。

· Cs 是电路中的杂散电容,通常为3pF~5pF。

7、 静态电容

指晶振内部石英芯片与两个电极之间形成的电容,还有一小部分电容来自石英芯片与连接线之间的导电材料,以及晶振封装外壳的电容。

8、 切割方式

不同应用场景和工作温度的需求,石英晶体会按照特定的角度进行切割,形成不同的切割方式。切割类型包括:AT切、BT切、CT切、SC切、DT切、NT切、GT切等。每种切割方式的角度不同,会影响晶体的弹性常数、压电常数和介电常数,进而影响其频率特性和温度稳定性。切割角度决定了晶振的振动模式和温频特性。石英晶体有结晶轴,切割时沿垂直于结晶轴的特定角度进行。

9、 振动模式

不同的石英切割角度及不同电极形状的电场效应,石英芯片展现了各种不同的振动模式,以经常产生的振动模式可以分为弯曲模式,伸缩模式,面切变模式和厚度切变振动模式。

10、 等效电阻

等效电阻(ESR,Rr,R1),又称谐振电阻。在规定条件下,石英晶体谐振器不串联负载电容在谐振频率时的电阻。

11、 激励功率/驱动电平

晶体工作时所消耗功率的表征值,AT切晶体激励电平的增大,其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应,导致可能出现寄生振荡,严重热频漂,过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振困难及/或输出频率不稳定等不良现象。

12、 激励电平相关性

又称激励电平依赖性,为晶体元件谐振电阻随激励电平条件变化的效应。当加在晶体元件上的激励电平改变时,其谐振电阻也随之变化,该变化在一般情况下有一定规律,可用两个激励电平所对应的两个电阻之比表示,其表达式为:DLD=Rr1/Rr2(Rr1-为较低激励电平时的电阻,Rr2-为较高激励电平时的电阻)。

13、 绝缘电阻

指晶振的各个引脚之间,或者引脚与外壳之间的电阻值。简单来说,它反映了晶振内部绝缘性能的好坏。绝缘电阻越大,说明晶振的绝缘性能越好,漏电流越小,能够有效防止信号干扰和电气短路。

14、 基频

晶振在最低阶振动模式下产生的频率,也就是它的“主振动频率”。基频是晶振最基础、最主要的振动频率,其他振动模式(如泛音)都是基于基频的倍数或衍生。基频决定了晶振的核心工作频率。

15、 泛音

泛音是晶振机械振动中产生的高阶谐波频率。接近基频整数倍(如3倍、5倍、7倍、9倍)等,但并不完全相等。例如:3次泛音的频率接近基频的3倍,但会略低一些。泛音的存在使得晶振能够在更高的频率下工作。

16、 等效电路

石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动,可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。这个回路包括L1、C1,同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路,与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。

17、 负性阻抗

负性阻抗是指从石英晶振的两个引脚向振荡电路看过去时,电路在振荡频率下的阻抗特性。它不是晶振本身的参数,而是振荡电路的重要特性。为了提高电路的起振能力,需要增大电路中的负性阻抗。如果负性阻抗不足,电路可能难以起振。通常,负性阻抗的值应达到晶振谐振阻抗的5~10倍,以确保电路稳定工作。

18、 年老化率

以年为衡量单位,在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。频率变化最大是在晶体频率组件生产完后的第一个月,之后频率随时间的变化就会减少。导致此老化的原因很多,如:密封特性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。

 

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