尽管在晶振振荡电路设计之前，我们都会从IC方案中获取晶振相关信息，如晶振封装、频率、频差、负载电容、工作电压等，但在晶振实际电路应用中，我们却会遇到一些具体问题，比如按照BOM采购晶振，在电路板上电后，发生晶振不良导致电路板显示不上电或某些功能失效等问题。在不少方案设计中，晶振的作用是进行开机逻辑诊断，这意味着上电开机时，若晶振不起振或严重频偏，必将导致IC无法完成开机诊断程序，进而体现为电路板不上电或无法开机。
在电路板晶振实际应用中，显然如果只依靠IC方案，一旦方案存在设计缺陷，晶振就有可能发生与IC电路不兼容问题，导致晶振不起振现象发生。理论上纸上谈兵，不如实测振荡电路的各项重要参数。这里必须首要提到的就是晶振激励功率和负性阻抗。晶诺威科技就把这两个重要指标计算方式表述如下：
激励功率（Drive Level，简称DL）
指晶振工作时消耗的功率，单位为μW。激励功率太小或太大，都会影响到晶振的正常使用。通常无源贴片晶振激励功率设计参数为10μW ，最大值为100μW。
晶振的实际激励功率实测方法有二：
1、用高频电流探头测试晶振工作电流来计算：
DL= I^2 * RL
RL= RR(晶振阻抗)*(1+C0/CL)^2
C0：静电容
CL：负载电容
2、用高阻电压探头测试振荡信号幅度后计算：
DL=P=(V^2)*R/(Z^2) 其中V=(Vppout+Vppin)/2*2^0.5
Z=(R^2+X^2)^0.5； R=R1*(1+C0/CL)^2； X=1/ωCL
激励功率原则：
确保晶振起振并在晶振正常工作中各项电气参数正常。
负性阻抗(Negative Resistance)是来判断振荡电路稳定性的一个重要参数，通常表示符号为-R，单位为Ω。负性阻抗太小，会直接影响晶振是否起振，负性阻抗太大则会造成晶振跳频或损坏。从经验推理，负性阻抗取值不能小于晶振阻抗5倍。
负性阻抗的实测步骤如下：
1、将可调电阻与晶振串联接入回路
2、调节可变电阻Vr使回路起振或停振
3、当回路刚停振时测试Vr
4、得到负性阻抗值│-R│= R1+Vr
注：
R1：晶振的阻抗值
Vr：可变电阻
负性阻抗值计算公式：│-R│> 5 * （R1+Vr）
