晶振在数码产品及智能设备中的应用已经相当普及，因此晶振在实际电路应用中往往也出现许多问题，比如晶振实际输出频率异常，包括无频率信号输出或输出频率信号与标称频率存在严重差异。
原因如下：
- 实际激励功率超出晶振指定范围
- 负载电容与规范中指定值存在差异
- 外接电容与晶振负载电容不匹配
- 晶振精度与IC指定值不匹配
分析及建议解决方案：
1、若施加在晶振的实际激励功率（又称之为驱动电平）超出指定范围，如过驱，晶振易损坏，且加速老化。驱动不够，晶振则会起振变慢，甚至不起振。合适的激励功率是保证晶振正常起振且保持正常振动状态的最小数值，一般振荡裕度设置为晶振负性阻抗的5倍。
2 、负载电容是晶振的固定电气参数，也是重要参数之一。一般情况下，低功耗电子产品，如智能腕表、蓝牙耳机等智能便携式数码产品采用低负载小体积晶振，如6~9PF。低负载意味着低功耗，可以延长电池的供电时间。而直接连接电源的设备往往采用15~20PF为负载的晶振。晶振的负载电容值的大小由芯片方案决定，因此需要根据IC对晶振的需求选取晶振的负载电容。
3、晶振的外接电容一般起到对晶振输出频率的微调作用。这里需要注意的是晶振的外接电容值不等于晶振的负载电容值。若外接电容过大，晶振输出频率会朝负向变化，反之，外接电容过小，晶振输出频率则会偏于正向变化。外接电容过大时，也会造成晶振起振时间延长，严重时引发晶振不起振现象发生。
4、晶振精度的大小是由电子产品的芯片来决定。显然，精度越高越好，就如同手表的时间功能。针对一些对晶振精度要求不高的电子产品，一般选择±20~±30PPM的晶振，但是在蓝牙及GPS定位模块中，晶振的精度至少在±10PPM乃至更高。晶振的精度只是一个理论参考，在电路的实际应用中，只有选择与之匹配的外接电容才有可能靠近及实现这个目标，因为晶振的实际输出频率精度还会受到如温度、杂散电容等动态变化的影响。这也是众多工程师在选择晶振精度时，往往选择比参考精度数值更严的原因。打个比方，这正如同汽车在一条空旷的公路上高速行驶，毕竟越靠近中间越安全。
