在无源晶振起振电路设计时，我们应当注意以下三点：

• 对地电容（外接电容）

如果在无源晶振振荡电路中对地电容（外接电容）与无源晶振本身负载电容（CL）没有做到最佳匹配，可能导致振荡频率与设计频率（目标频率）之间产生偏差，即我们所说的“频偏”。

在无源晶振振荡电路中，晶振负载电容、杂散电容与对地电容之间的关系示意图如下：

注：
1、 CL: 无源晶振的负载电容。

2、CS: 指杂散电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。3、C1 和 C2:分别指无源晶振在电路应用中的两颗对地电容。

• 振荡电路的增益或补偿

除非在无源振荡电路中提供足够的负电阻（即负性阻抗，（英文名称：Negative Resistance），-R），否则可能造成无源晶振启动时间延长，或无源晶振不起振。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负性阻抗。

在无源晶振的实际电路应用中，若要获得稳定的振荡电路，振荡IC的负性阻抗（-R）至少应为晶振的5倍以上，即绝对值|-R|>5R。举例来说：如果晶振电路阻抗总值为30Ω，那么IC的负性阻抗至少为-150Ω，这样才可以保障振荡回路之稳定性。

负性阻抗的测试方法是：在无源晶振输出端串接一个可变电阻，可变电阻调至最小，接通电源让电路正常动作，调整可变电阻，将之调大，直至振荡器不起振，确定不起振后，再将可变电阻调小，观测波形，持续将可变电阻调小到振荡器开始振荡波形正常后，关闭电源，再打开电源，若振荡器依旧可以起振，这时把可变电阻上的阻抗值加上晶振的电阻值即为负性阻抗值。

• 激励功率

激励功率（英文名称：Drive Level）说明无源晶振起振所需电功率，其计算公式如下：

激励功率 ( P)= i ^2 • Re

其中 i 表示经过无源晶振的电流，Re 表示无源晶振的有效电阻，而且 Re=R 1 (1+Co/C L ) 如果激励功率 (P)超出指定范围，振荡频率就会漂移。原因是当一个超过指定范围的输入驱动会在晶体上引发应力，导致温度上升。我们把这种现象称之为“过驱”。“过驱”不仅容易造成晶振“频偏”，同时可能引发晶片损坏，造成晶振停振。即使这种严重现象没有即可发生，也会带来晶振老化率提升，输出频率趋于不稳定等不良现象发生。相对而言，若激励功率不够，无源晶振则不易起振或不起振。

通常无源贴片晶振激励功率设计参数为10μW ，最大值为100μW。