若晶振正好布线于电路板边缘，当产品放置于辐射发射的测试环境中时，被测产品的高速器件与参考地会形成一定的容性耦合，产生寄生电容，导致出现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射越强；而寄生电容实质就是晶振与参考地之间的电场分布，当两者之间电压恒定时，两者之间电场分布越多，两者之间电场强度就越大，寄生电容也会越大，对晶振造成的辐射干扰就会越强。

晶振在电路板边缘与在电路板中间时电场分布如下：

（图一）

（图二）

从以上两张图示可以看出，当晶振由图一位置移到图二位置时，即远离电路板边缘时，由于电路板中工作地（GND）平面的存在，使大部分的电场控制在晶振与工作地之间，即在电路板内部，分布到参考接地板的电场大大减小，同时降低了寄生电容对晶振的辐射干扰。

结论

当晶振设计在电路板边缘时，建议将晶振内移，使其离电路板边缘至少1cm以上，并在电路板表层距离晶振1cm的范围内敷铜，同时把表层的铜通过过孔与电路板地平面相连。如果处于某种原因不得不布置晶振于电路板边缘，建议在印制线边上增加一根工作地线，同时增加过孔将此工作地线与工作地平面相连，借此尽可能降低寄生电容对晶振的辐射干扰。最后提醒针对晶振布线时，请尽可能远离电源组件。