插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

晶诺威科技产插件式圆柱晶振介绍如下:

  • 按照封装尺寸:分为2*6与3*8两大类
  • 按照频点:分为RTC 32.768KHz晶振与MHz系列晶振。

插件式圆柱晶振属于插件晶振系列,因此只适用于手工焊接,无法实现自动化贴片。圆柱晶振常见尺寸为 2*6与3*8,可根据电路板空间大小选择体积合适的圆柱晶振。

一、插件式圆柱晶振2*6主要参数:

1、KHz系列2*6圆柱晶振

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

  • 频率范围:32.768KHz
  • 体积:2.0×6.0mm
  • 调整频差:±10ppm to ±30ppm
  • 工作温度(°C):-10~+60,-20~+70
  • 负载电容/工作电压:6pF,7pF,12.5pF或定制
  • 绝缘阻抗/输出模式:40KΩ max.
  • 激励功率/功耗:1μW max.

2、MHz系列2*6圆柱晶振

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

  • 频率范围:6.000MHz to 30.000MHz
  • 体积:2.0×6.0mm
  • 调整频差:±10ppm to ±30ppm
  • 温度频差:±10ppm to ±30ppm
  • 工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
  • 负载电容:12pF,20pF或定制
  • 绝缘阻抗:6 to 10MHz<120Ω,10 to 20MHz<100Ω,20 to 30MHz<80Ω
  • 激励功率:1μW max.
  • 年老化率:±5ppm/ year max.

二、插件式圆柱晶振3*8主要参数:

1、KHz系列3*8圆柱晶振

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

  • 频率范围:32.768KHz
  • 体积:3.0×8.0mm
  • 调整频差:±10ppm to ±30ppm
  • 工作温度(°C):10~+60,-20~+70
  • 负载电容/工作电压:6pF,7pF,12.5pF或定制
  • 绝缘阻抗/输出模式:40KΩ max.
  • 激励功率/功耗:1μW max.

2、MHz系列3*8圆柱晶振

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

  • 频率范围:3.579MHZ-64.000MHz
  • 体积:3.0×8.0mm
  • 调整频差:±10ppm to ±30ppm
  • 温度频差:±10ppm to ±30ppm
  • 工作温度(°C):-20~+70,-40~+85
  • 负载电容:12pF,20pF或定制
  • 绝缘阻抗:3.2 to 3.57MHz<250Ω, 3.579 to 4MHz<150Ω, 4 to 5MHz<120Ω, 5 to 6MHz<100Ω, 6 to 7MHz<80Ω, 7 to10MHz<60Ω, 10 to12MHz<60Ω, 12 to30MHz<40Ω, 30 to64MHz(三次泛音)<80Ω
  • 激励功率:1μW max.
  • 年老化率:±5ppm/ year max.

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

插件式圆柱晶振内部结构图

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

 

插件式圆柱晶振导脚弯曲方法说明

1、弯曲圆柱晶振导脚时或取下晶振时,不能强制拔出导脚。强制拔出导脚会引起晶振密封玻璃破裂,导致晶振漏气,引发圆柱晶振电气特性的恶化及石英晶片破损。插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项
2、弯曲圆柱晶振导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲部位,再进行弯曲。

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项
3、焊接时,导脚与晶振圆柱体末端之间要留0.5mm的直线距离。尽量避免晶振导脚被弯曲时,密封玻璃受物理外力影响而破碎。

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项
4、将晶振平放时,注意不要使之与导脚相碰撞,请延长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于晶振外壳的直径长度(D)。

插件式圆柱晶振电气参数,内部结构图及使用注意事项

注意:

1、禁止对插件式圆柱晶振外壳进行焊接,否则可能导致晶振内部真空浓度下降,造成晶振电气特性恶化以及石英晶片破损。

2、对多余锡膏进行彻底清理,多余堆积锡膏粘连插件式圆柱晶振两个管脚会造成短路,引发晶振停振不良。

电话:0755-23068369