首先说明的是：但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外，注意区分外接电容C1和C2（接地电容，对地电容）并不等同于晶振负载电容（CL）。C1和C2是电路板和包括IC 和晶振在内的组件的总电容值。
一般情况下，增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降，即偏负向。举例，若无源晶振12MHz的外接电容为18PF，实际输出频率为12.002876MHz。更改外接电容为27PF之后，该晶振的实际输出频率会有所降低，如：11.9998923 MHz。
晶振的外接电容越大，晶振的振荡越稳定，但是会增加起振时间，即晶振起振慢，其原理是外接电容会存储更多电荷，即降低电流强度，从而降低电路提供给晶振起振的激励功率。
当无源晶振的输出波形出现削峰、畸变时，这一般是由于电流过驱动（over drive）导致，可以尝试通过串联一颗电阻解决，电阻值一般在几十kΩ~几百kΩ。如果要稳定波形，则可尝试并联一颗1M反馈电阻。
晶振电路应用注意事项
晶振布局：晶振电路应尽量远离干扰源，如电源、高频信号等，以免影响晶振的稳定性。
电容选择：晶振电路中的电容应选择合适的数值，以保证晶振的稳定性和工作频率。
阻尼电阻：为了提高晶振电路的稳定性，可以在晶振电路中加入适当的阻尼电阻。
