CMOS晶体振荡器 与LVCMOS晶体振荡器的区别解释如下：

首先，晶体振荡器（有源晶振）与晶体谐振器（无源晶振）最大的区别，除了前者本身带有电压之外，还拥有后者没有的输出信号模式（输出逻辑）。输出逻辑指输出的电路类型，主要有CMOS、LVCMOS、SCL、LV-PECL、LVDS、Clipped Sine Wave（削峰正弦波），其中CMOS和LVCMOS是石英晶体振荡器中较为常见的两种输出。

CMOS具有诸多优于其它类型输出信号的优点，如CMOS晶体振荡器具备低相噪优势，非常适合数字电路设计。

LVCMOS中的LV指的是Low Voltage，意思是“低电压”，往往代表着“低功耗”。如果设备对低功耗有要求，晶诺威科技建议选择输入电压为1.8 V、2.5V或2.8V的LVCMOS晶体振荡器，电流为20mA。LVCMOS晶体振荡器适合无线和有线基础设施，如低功率医疗成像设备、便携式测试和测量设备，工业测试设备及网络通信设备等。

与LVCMOS晶体振荡器对比，CMOS晶体振荡器可以使用更高电压，因此可以实现直供电源设备对晶振更大功率之设计需求，如输入电压为3V、3.3V或5V的CMOS晶体振荡器。