有源晶振输出波形(LV)TTL,(H)CMOS,(P)ECL,LVDS,Clipped Sine Wave的主要区别如下：
通常，方波输出功率大，驱动能力强，但谐波分量丰富；正弦波带载能力不如方波，但谐波分量小。
- TTL（Transistor-Transistor Logic）：
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间有很大空闲，对改善噪声容限没好处，会增大系统功耗，并影响速度，所以后来出现LVTTL(Low Voltage TTL)。在晶振产品中，LVTTL分为3.3V、2.5V，其中以3.3V为主。
- CMOS：
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH> =3.5V；VIL<=1.5V。
CMOS相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
使用时应注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
CMOS包括HCMOS与LVCMOS两类。LVCMOS属于低功耗设计。
- ECL（Emitter Couple Logic）：
ECL电路的特点：基本门电路工作在非饱和状态，ECL电路具有相当高的速度，平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级。
ECL电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8V ，而 TTL 的逻辑摆幅约为 2.0V ），当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电容的充放电时间将减少，这是 ECL电路具有高开关速度的重要原因。但逻辑摆幅小，对抗干扰能力不利。ECL电路具有很高的输入阻抗和低的输出阻抗。
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 ECL电路速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用，但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
- Clipped Sine Wave:
削峰正弦波(Clipped Sine Wave)相比方波的谐波分量少很多，但驱动能力较弱，在负载10K//10PF时Vp-p为0.8Vmin。通常为TCXO温补晶振7050、5032、3225使用的波形。
