许多晶体（石英晶体谐振器/无源晶振）需要在施加负载电容条件下工作，以便与电容电阻等元件构成一个稳定且精准的振荡器电路。负载电容定义为施加在晶体两个管脚（频率输入脚与频率输出脚）之间的来自晶体外围电路的所有有效电容，如下图所示。

 在晶体的振荡电路设计时，请务必参照晶振规格书中指定的负载电容这个参数。如果所选晶振负载与芯片方案指定的晶振负载存在差异，可能会增加晶振频率误差，造成频率超差问题。如下列公式所示：

C_EFF = C_MOTIONAL × (C_LOAD + C_SHUNT)/(C_LOAD + C_SHUNT + C_MOTIONAL)

注：

• C_EFF     Effective Capacitance 有效电容

• C_SHUNT    Shunt Capacitance静态电容

• C_LOAD    Load Capacitance 负载电容

• C_MOTIONAL    Motional Capacitance 动态电容

从整体上看，电容有效值变化非常小，因为动态电容通常比静态电容和负载电容低约三个数量级。因此，(C_LOAD + C_SHUNT)/(C_LOAD + C_SHUNT + C_MOTIONAL)几乎是统一的，并且有效总电容非常接近动态电容值。请注意，随着负载电容的增大，(C_LOAD + C_SHUNT)/(C_LOAD + C_SHUNT + C_MOTIONAL)更接近于统一，并且负载电容的绝对变化对整体有效电容的影响减弱（较低频率的牵引）。同样，对于任何给定的负载电容，较小的动态电容也会降低频率拉力(C_LOAD + C_SHUNT)/(C_LOAD + C_SHUNT + C_MOTIONAL)  。 

典型晶体频率与负载电容牵引曲线图例如下：

Typical pulling curve for 5fF C_MOTIONAL, 3pF C_SHUNT, 3pF specified C_LOAD, 10MHz crystal