为何晶振布置在PCB边缘时会导致辐射超标?
如上图所示:当晶振布置在PCB中间或离PCB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地(GND)之间,即在PCB内部,分布到参考接地板的电场大大减小,从而导致晶振与参考接地板之间的寄生电容大大减小。反之,若晶振布置在PCB边缘时,晶振与参考接地板之间的寄生电容大大增加,势必会容易导致辐射超标。
为何晶振布置在PCB边缘时会导致辐射超标?
如上图所示:当晶振布置在PCB中间或离PCB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地(GND)之间,即在PCB内部,分布到参考接地板的电场大大减小,从而导致晶振与参考接地板之间的寄生电容大大减小。反之,若晶振布置在PCB边缘时,晶振与参考接地板之间的寄生电容大大增加,势必会容易导致辐射超标。