关于芯片对无源晶振负载电容CL的要求，说明如下：

Load Capacitance 指的是无源晶振的负载电容，此参数为无源晶振关键参数之一，会直接影响到晶振的振荡频率和起振条件。

在晶振选型时，我们应该根据芯片对晶振负载电容CL的要求来选取晶振。

比如某芯片对晶振的要求如下：

我们可以看到芯片对晶振的三个主要电气参数要求如下:

1、Frequency（ 频率）=32.768KHz

2、ESR 内阻 (等效串联电阻)=45kΩ

3、Load Capacitance 负载电容=6PF

根据上述芯片对晶振参数的要求，我们来看相应晶振的规格书：

注：

在无源晶振规格书中，负载电容CL往往提供不同选择，常见为：6PF、7PF、8PF、9PF、12PF、12.5PF、15PF、18PF、20PF等。若晶振负载电容CL选择错误，可能造成芯片无法捕捉时钟信号，引发设备功能性故障。

关于晶诺威科技产32.768KHz无源晶振负载电容与匹配电容的说明：

若CL=12.5pF，建议外接匹配电容C1=C2=22pF；

若CL=9pF，建议外接匹配电容C1=C2=15pF；

若CL=7pF，建议外接匹配电容C1=C2=10pF；

若CL=6pF，建议外接匹配电容C1=C2=9pF。

在实际应用中，会根据不同的应用场景选择合适的负载电容晶振。

（48MHz晶振应用方案）

（32.768KHz晶振应用方案）

再例如，在便携式电子设备中，通常希望降低功耗以延长电池寿命，因此会选择负载电容较小的晶振。这种设计有助于减少功耗和驱动能力，从而延长电池寿命并降低发热量，提高产品的能效和可靠性。如：选择SMD2016 32MHz 6pF ±10ppm，而不是SMD3225 32MHz 20pF ±10ppm。

相反，在服务器或高性能计算机等需要高稳定性和高驱动能力的应用中，设计人员会选择负载电容较大的晶振。这种晶振能够提供更高的驱动能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定的振荡信号，从而提高产品的性能。