（无源晶振主要电气参数及其对电路的影响）

RR

阻抗RR越小，晶振越容易起振；反之，若晶振ESR过高，则晶振不易起振，可能会给电路造成不稳定。

C1

动态电容

L1

动态电感

C0

静电容

静电容C0不能太高，否则易产生较大的副波，影响晶振频率稳定性。

FL

在特定负载电容以及激励功率下，频偏越小越好。

DLD2

不同驱动功率（Drive Level）下，阻抗最大-阻抗最小，越小越好。

若晶振DLD2不良，会造成“睡眠晶振”，表现为晶振时振时不振。 晶振DLD2不良主要为晶振制程污染所导致。

DLD：英文全称Drive Level Dependency

指当不同功率驱动晶振时，所得最大阻抗与最小阻抗之差。DLD2越小越好。

当无源晶振制程受污染时，DLD2值会偏高，导致时振与时不振现象，即造成“睡眠晶振”（Crystal Sleeping)。

合格的晶振不会因驱动功率变化而变化而产生较高的阻抗差异。值得一提的是，目前一些晶振供应商不会主动提供此重要指标参数给客戶。

晶诺威科技产12MHz晶振合格品测试数据如下：