晶体振荡器/Oscillator性能和术语汇总如下：

标称频率：晶体振荡器的中心频率或标称输出频率。

频率公差：室温下（25°C ±5°C）与标称频率的偏差（以PPM表示）。

频率范围：振荡器可以提供的频带。

频率稳定性：与温度25°C时测得的频率相比，即0°C至+70°C的最大允许频率偏差。 时钟振荡器的典型稳定性为±0.01%（±100PPM）。

工作温度：输出频率和其他电气、环境特性符合规格的温度范围。

老化：一定时间内的相对频率变化。时钟振荡器的老化通常为1年最大值±5PPM。

储存温度：在不损害或改变晶体振荡器性能的情况下，安全储存振荡器的温度范围。

电源电压：相对于地，可以安全地施加到VCC端的最大电压。

输入电压 （VIN）：可以安全地施加到振荡器的任何输入端的最大电压。

输出高电压 （VOH）：在适当负载下振荡器输出端的最小电压。

输出低电压 （VIH）：保证在振荡器输入端触发阈值的最大电压。

电源电流：相对于地，流入 Vcc 端的电流。通常，电源电流是在没有负载的情况下测量的。

占空比对称性：输出波形在指定电平下的对称性（TTL 为 1.4 V，HCMOS 为 1/2 Vcc，ECL 为 1/2 波形峰值电平）。

上升时间 （TR）：在指定电平下测量的从低电平到高电平的波形上升时间（HCMOS、ECL 为 20% 至 80%，TTL 为 0.4 V 至 2.4 V）。

下降时间 （TF）：波形从高到低转换的下降时间，在指定水平下测量（HCMOS、ECL 为 80% 至 20%，TTL 为 2.4 V 至 0.4 V）。

输出负载：不同系列振荡器可以驱动的最大负载定义为输出负载驱动能力。每个振荡器系列的负载驱动能力是根据振荡器可以驱动的门的数量来决定的。

抖动（短期稳定性）：振荡器输出的相位或频率调制。

HCMOS/TTL兼容：振荡器采用 ACMOS 逻辑设计，具有驱动 TTL 和 HCMOS 负载的能力，同时保持 HCMOS 的最小逻辑高电平。

三态使能：当输入保持打开状态或连接到逻辑“1”时，会产生正常振荡。当输入接地时（与逻辑“0”连接，输出为高阻抗状态。输入具有一个内部上拉电阻器，因此允许输入保持开路。

输出逻辑：振荡器的输出设计用于满足各种指定逻辑，如 TTL、HCMOS、ECL、正弦波、削峰正弦波（DC cut）。

谐波失真：由于与目标信号频率相关的不需要的谐波频谱分量引起的非线性失真。每个谐波分量是电功率与所需信号输出电功率的比值，以dbc表示，即-20 dBc。谐波失真的程度大小是一个非常重要的参数，尤其是在需要正弦波输出的应用中，因为此模式需要干净且失真较小的信号。

双路和多路输出：单个振荡器能够产生多个信号。这些信号可能是相关的（通常是单个晶体产生的信号的倍数或除数）。

启动时间：振荡器的启动时间定义为振荡器达到其指定RF输出幅度所需的时间。