(晶体谐振器SMD2016激励功率Drive level Typical及Maximum)

谈及激励功率，我们通常指的是晶体谐振器（无源晶振）的一个重要电气参数。其要求是既要保证晶体正常起振，但又不能使之过驱。在晶体谐振器数据手册中，激励功率这个参数都会有明确标注。激励电流测试位置如下图所示：

常见晶体谐振器激励功率汇总如下：

MHz晶体谐振器SMD1612 、SMD2016、SMD2520及SMD3225

激励功率（Drive level）：10μw Typical（典型值）

激励功率（Drive level）：100μW Maximum（最大值）

MHz晶体谐振器SMD5032及SMD7050

激励功率（Drive level）：100μW Typical（典型值）

MHz圆柱体晶体谐振器2×6 及3×8

激励功率（Drive level）：100μW Typical（典型值）

KHz圆柱体晶体谐振器2×6 及3×8 

激励功率（Drive level）：1μW Typical（典型值）

MHz晶体谐振器49S、49SMD及49U

激励功率（Drive level）：100μW Typical（典型值）

32.768KHz SMD3215

激励功率（Drive level）：1μW Maximum（最大值）

注：激励功率越小，表明晶体谐振器功耗越低。

常见晶振激励功率如下：

• 49S/49SMD晶振：100µW (500µW max)

• MHz SMD晶振：10µW（50µW max)

• 32.768kHz晶振：1µW (2µW max)

拓展阅读：晶振激励功率匹配不当的影响有哪些？

1、激励功率过高对晶振的影响主要有以下三点：

• 频率变化激励功率过高会导致振幅增大，从而引发幅频效应。这种效应会改变晶振的机械应力与弹性常数，从而导致振荡频率有明显变化，影响设备的正常工作。

• 热应力增加过高的功率会在晶片两电极之间形成不均匀的温度场，导致热应力增大，进而影响频率稳定性，严重时可能导致晶片损坏。

• 晶振老化长期在高激励功率下运行会加速晶振老化，缩短使用寿命，增加维修或更换的成本。

2、激励功率过低对晶振的影响

DLD效应激励功率不足时，晶振的振荡能力下降，容易出现驱动功率相关性(DLD)效应。晶振的频率可能随着激励功率的波动而变化。晶振无法起振若激励功率过低，电路的振荡裕量不足，可能导致晶振无法启动振荡，使设备无法正常运行。

3、如何减少驱动功率？

• 增加阻尼电阻在电路中增加适当的阻尼电阻，可以减小反相放大器的输出幅度，从而降低驱动功率。但需确保振荡裕量大于晶振等效电阻的5倍，以保证振荡器稳定运行。

• 减少外部负载电容减小外部负载电容可以增加振荡电路的阻抗，从而降低实际驱动功率。然而，需注意负载电容的调整可能影响振荡频率，必须确保频率仍在允许范围内。