有哪些因素影响无源晶振起振时间？晶诺威科技归纳四点如下：

1、负载电容（CL）

如果负载电容很大，静态电容C0的改变对频率变化的影响很小，频率更加稳定。所以负载高，远端相位噪声好；若过大，则很难调整到标称频率，无源晶振起振慢。相反，如果负载电容较小，静电容C0的微小变化会造成频率的明显变化。近端相位噪声好，容易调整频率，晶振起振快。在选择晶体的负载电容时，我们要尽量权衡能量损耗和频率的稳定性。

2、阻抗（RR）

如果无源晶振阻抗过大，容易造成晶振起振困难，即：增加起振时间。

3、品质因素Q值

晶振的Q值称为“品质因数”。 Q值大,说明内阻小、损耗小、需要的激励功率小、起振快。

4、 DLD2

DLD: Drive Level Dependency

直译成中文为“驱动级别依赖性”。

DLD stands for Drive Level Dependence. The frequency and ESR (Equivalent Series Resistance) of a quartz crystal can be influenced by the drive level applied in an oscillation circuit to various degrees.

DLD 代表驱动器级别依赖性。石英晶体的频率和ESR（等效串联电阻）会受到振荡电路中施加的驱动电平的不同程度的影响。

DLD2越小越好，当晶振制程受污染时，则DLD2值会偏高，导致起振慢或时振时不振现象，即 “晶振休眠”。好的晶振不因驱动功率变化，而产生较高的阻抗差异，造成质量异常。晶振 DLD不良，集中反映在晶振使用过程的大多数不稳定状况。比如：用仪器测试是合格的，但使用时发现不能工作、加热或给一定外界激励后工作，但过一段时间后停止工作。

我司无源贴片晶振SMD3225 24MHz  18pF ±10ppm 电气参数测试数据如下：