（晶诺威科技SMD1612贴片无源晶振激励功率）

注：

激励功率：10μW

激励功率最大值：100μW

激励功率过大对晶振造成的影响是什么？

答：激励功率（Drive Level）过大会导致无源晶振使用寿命缩短，严重时导致晶振停振。

解释如下：

激励功率属于无源晶振（晶体谐振器）本身的一个重要电气参数。激励功率的大小主要与无源晶振的封装尺寸及石英晶片内阻有关。

在无源晶振的起振电路中，芯片提供的激励功率过大可能会导致石英晶片振幅变大，因此过多的热量产生导致石英晶片振动区域的温度升高。石英晶片本身则产生梯度性温度攀升，直接破坏频率稳定度。由于晶片机械性变形程度可能会超出弹性极限，造成晶格不可恢复性的位移，造成晶振输出频率永久性频偏。更严重的情况下，石英晶片振碎，导致晶振彻底不起振（停振）。通过调整电路中的串联电阻Rd的大小来调节振荡电路对晶振输出的激励电平。一般而言，激励电平越小越好，振荡电路的稳定性和晶振的使用寿命有关。

根据晶振应用领域的不同，我们应该根据芯片数据手册选择正确的激励功率。一般情况下，便携式电子产品主要以电池供电为主，在晶振选型时宜选择低功耗的小体积晶振。功耗越低意味着激励功率越小。需要指出的是，我们切不可为了加速晶振起振时间或试图改变晶振输出频率的高低，而任意改变电路输给晶振的激励功率的大小。