(DRIVE LEVEL FOR SMD2016)
晶振激励功率最大值的含义是什么？
答：指的是若提供的激励功率超过该值，可能会损伤晶振，包括晶振工作稳定性下降或使用寿命缩短等。如上图所示：晶诺威科技生产的SMD2016无源贴片晶振的激励功率典型值为10μw ，最大值为100μW。
常见晶振激励功率如下：
- 49S/49SMD晶振：100µW (500µW max)
- MHz SMD晶振：10µW（50µW max)
- 32.768kHz晶振：1µW (2µW max)
拓展阅读：晶振激励功率匹配不当的影响有哪些？
1、激励功率过高对晶振的影响主要有以下三点：
- 频率变化激励功率过高会导致振幅增大，从而引发幅频效应。这种效应会改变晶振的机械应力与弹性常数，从而导致振荡频率有明显变化，影响设备的正常工作。
- 热应力增加过高的功率会在晶片两电极之间形成不均匀的温度场，导致热应力增大，进而影响频率稳定性，严重时可能导致晶片损坏。
- 晶振老化长期在高激励功率下运行会加速晶振老化，缩短使用寿命，增加维修或更换的成本。
2、激励功率过低对晶振的影响
DLD效应激励功率不足时，晶振的振荡能力下降，容易出现驱动功率相关性(DLD)效应。晶振的频率可能随着激励功率的波动而变化。晶振无法起振若激励功率过低，电路的振荡裕量不足，可能导致晶振无法启动振荡，使设备无法正常运行。
3、如何减少驱动功率？
- 增加阻尼电阻在电路中增加适当的阻尼电阻，可以减小反相放大器的输出幅度，从而降低驱动功率。但需确保振荡裕量大于晶振等效电阻的5倍，以保证振荡器稳定运行。
- 减少外部负载电容减小外部负载电容可以增加振荡电路的阻抗，从而降低实际驱动功率。然而，需注意负载电容的调整可能影响振荡频率，必须确保频率仍在允许范围内。
