晶振电气参数有哪些？晶诺威科技解释如下：

一、晶振可以分为无源晶振和有源晶振，首先是无源晶振（晶体谐振器）电气参数：

需求方提出的基本参数要求：

• 标称频率：Frequency
• 负载电容：CL
• 等效阻抗：Rr (ohms)
• 频率温度特性：TC (Relative to 25℃)
• 其它要求：工作温度范围、C0、C1等

需要由供方控制的参数：

• 频率精度：FL or FR（ppm）
• 等效电阻：Rr (ohms)
• 静态电容：C0 (pF)
• 动态电容：C1 (fF)
• 等效电感：L (mH)
• 品质因数：Q(k)
• 牵引能力：TS (ppm /pF)
• 驱动功率依赖性：DLD
• 頻率温度特性：TC (Relative to to 25℃)

那么如何对晶振的参数进行测量呢？

通常可用阻抗计测量，或者网络分析仪测量：

1、阻抗计测量：

将谐振器作為振荡器的一部分，利用比较替代的方法进行测量。

测量标准：主动法IEC-302。测量精度：±5ppm。

典型设备： S&A 100HF

2、网络分析仪测量：

将谐振器使用Π电阻网络匹配接入网络分析仪，通过频率相位、幅值分析测量。

测量标准：被动法IEC600444。测量精度：±2ppm。

典型设备：S&A 250B ; KH1240

二、有源晶振（晶体振荡器）电气参数：

1、常温频率偏差(Frequency Tolerance)

晶体振荡器（基准条件下）输出频率与标准频率的偏差。如±25PPM……

2、频率温度偏差(Frequency Stability)

晶体振荡器在工作温度内频率的变化。如±25PPM、±30PPM..

3、频率总偏差(Overall Stability)

在规定的工作条件范围内允许的频率偏差。频率总偏差包括频率偏差，频率温度偏差，电压频率变化，负载变化，老化等。

• 频率稳定度要求±20ppm或以上的应用，晶体振荡器；
• 频率稳定度要求±0.5~±10ppm的应用，TCXO；
• 频率稳定度要求±1ppm或以下的应用，OCXO。

4、电源和输出负载

晶体振荡器的频率受电源电压变动，和负载变动的影响。

额定电压有：3.3V±10%、5V±10%、1.8V±5%、2.8V±5%等，CMOS输出额定的负载（OUTPUT LOAD）为15pF，其它负载需要定制，如30pF。

5、输出波形

晶体振荡器有CMOS、TTL、PECL、LVPECL、 LVDS、HCSL

测量仪器包含频率计，示波器等。