无源晶振怎么选型？晶诺威科技介绍如下：
计算晶振兼容性
低频晶振选择：32.768KHz
Frequency=32.768KHz，CL=12.5pF， ESR=70kΩ，Frequency tolerance=±20ppm，C0=1pF。
- Frequency：指所选晶振的振荡频率
- Frequency tolerance：指的是晶振的频率精度（调整频差）
- CL：晶振的负载电容(load capacitance)
- ESR：等效串联电阻
- C0：晶振的寄生电容(shunt capacitance)
PS：若在数据手册中查不到晶振寄生电容值，那么该数值可忽略不记。
计算：
gmcrit = 4 *ESR (2πF)² * (C0 + CL)²
=4*70kΩ * (2pi*32.768kHz)^2 *(1pF+12.5pF)^2
= 2.16uA/V
以STM32F103VFT6单片机为例，查手册可知LSE的gm最小值为5uA/V，因此gmcrit最大值不超过1uA/V（5倍关系），则本数值（2.1632uA/V）不满足兼容性要求，即：可能发生芯片对晶振驱动失败问题，具体表现为为晶振不起振。
若选择型号CL=7PF, F=32.768KHz, Frequency tolerance=±20ppm，经计算gmcrit值0.76 uA/V（典型值）,按最大参数计算1.05 uA/V。该型号晶振基本可以满足芯片对它的驱动要求。
计算负载电容
由于芯片引脚电容为5pF，假设分布电容为1.5pF，则总寄生电容为5/2+1.5=4pF则CL1、CL2可选择(12.5-4)*2=17pF，可选择16pF作为初始值
计算Drive Level
晶振的DL为0.5uW，ESR为70kΩ
= 7.6uA
因此，Iq应不大于7.6uApp。STM32F103VFT6的LSE driving current为1.4uA。该晶振满足芯片驱动要求。
高频晶振选择：8.000MHz
- Frequency：8.000MHz
- Frequency tolerance=±20ppm
- CL：18PF
- ESR：40Ω
- DL：100μW Typical
计算晶振兼容性
Gmcrit = 0.39mA/V
STM32F103VFT6单片机HSE的gm为25mA/V，因此Gmcrit最大值不超过5mA/V。因此满足兼容性要求。
计算负载电容
由于芯片引脚电容为5pF，假设分布电容为1.5pF，则总寄生电容为5/2+1.5=4pF，则CL1、CL2可选择(18-4)*2=28pF。
计算Drive Level
= 7mA
因此，Iq应不大于7mApp。STM32F103VFT6的HSE driving current为1mA。因此，该型号晶振满足芯片驱动要求。
由以上可见，在无源晶振选型时，尤其是针对低功耗应用，其负载电容（CL）及等效串联电阻（ESR）是两个非常关键的参数。
拓展阅读：晶振选型指南
一、晶振选型的关键参数
晶振选型需聚焦频率、负载电容、频率容差、温度特性、功耗五大核心参数，适配设备需求与场景，各行业对参数要求差异明显：
1. 频率
定义：输出基准时钟频率，范围32.768kHz~数百MHz。
选型：严格匹配芯片推荐频率，避免功能异常。
行业差异：通信业（5G 基站）需高频稳定型号（25/50MHz）；消费电子（普通家电）用 32.768kHz 或 4~8MHz 即可。
2. 负载电容（CL）
定义：晶振两端等效电容（pF），需与电路电容匹配。
选型：按 PCB 外接电容选，常见 6/8/10/12.5pF，可定制 3~20pF。
行业差异：工业设备（PLC）选 10~12.5pF 保稳定；微型消费电子（TWS 耳机）用 6~8pF 适配小空间。
3. 频率容差
定义：常温下实际与标称频率偏差（ppm），决定时钟精度。
选型：高精度场景选 ±5ppm，常规 ±10ppm，低成本 ±20ppm。
行业差异：医疗设备（血糖仪）需≤±5ppm；消费电子（智能音箱）用 ±10~20ppm。
4. 温度特性
定义：不同温度下频率稳定性，含工作温度范围与温度频差。
选型：按环境选等级（商业级 -20~+70℃、工业级 -40~+85℃、车规级 -40~+105℃），关注温度频差。
行业差异：车载（ADAS）需车规级；室内设备（平板）用商业级。
5. 功耗
定义：工作电流（μA/mA），影响便携设备续航。
选型：低功耗设备选≤1μA 型号（32.768kHz），高频晶振 5~10μA。
行业差异：可穿戴设备（智能手表）、物联网传感器优先低功耗；工业插电设备（伺服驱动器）更关注稳定性。
二、不同封装型号的特点对比
SMD1612晶振 1.6×1.2mm 超小型、低功耗
SMD2016晶振 2.0×1.6mm 高性价比、通用型
SMD2520晶振 2.5×2.0mm 稳定度高
SMD3225晶振 3.2×2.5mm 工业级可靠性
三、精度与稳定度的匹配策略
晶振选型需结合设备需求与场景，平衡性能与成本：
通信设备（5G 基站、卫星接收机等）：需 ±0.5ppm 高精度 TCXO，避免信号误码与干扰；骨干网设备可升级 ±0.01ppm OCXO，降低频率漂移。
消费电子（智能手环、TWS 耳机等）：±10ppm 标准石英晶振即可，不影响功能且成本仅为高精度 TCXO 的 1/3~1/5，适配量产需求。
四、温度性能与应用环境考虑
选型需匹配环境温度，兼顾启动特性与老化率：
极端温度场景（车载电子、户外传感器）：选 – 40~+105℃（车载）/-40~+85℃（户外）宽温晶振，避免高低温故障；启动时间≤10ms，保障设备快速稳定。
常规环境场景（智能音箱、平板）：-20~+70℃商业级晶振足够，关注年老化率≤±1ppm / 年，防止长期使用时钟偏差。
五、实际应用中的选型案例
按设备需求适配晶振封装、参数：
智能手表：1612 封装低功耗晶振（32.768kHz RTC 时钟、26MHz 蓝牙），省空间且电流≤1μA，延长续航。
工业控制设备（PLC、伺服驱动器）：2520 封装高稳定晶振（12/24MHz，±5ppm），抗振抗冲击，适配车间环境。
通信设备（5G 小基站）：3225 封装 TCXO/OCXO（10~50MHz），满足 – 40~+85℃稳定需求，散热好适配24小时工作。
