关于晶诺威科技产10MHz OCXO恒温晶振（低相噪高稳定度）参数说明如下：

首先，有源晶振，即晶体振荡器（Crystal Oscillator），主要分为温补晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）、恒温晶振（OCXO）等几种类型。

一般除压控晶振外，其它类型晶振都常用于时间频率产品中，为相关时间频率设备提供时域或频域基准。温补晶振一般是通过对晶体频率温度特性进行补偿，以达到宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。恒温晶振主要通过恒温槽电路来采取精密控温方式，使电路原件及晶体在零温度系数条件下工作。

晶振性能一般考虑时域表征性能参数和频域表征性能参数。时域表征一般表现为在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移，通常用某一时间间隔内的老化率频率差相对值来量度，如晶诺威科技产恒温晶振（物料编码：9XG10M3H）日老化率≤±1ppb，年老化率可以达到≤±100ppb，10年老化性能参数值可以达到≤±500ppb，其短期稳定度可以达到0.01ppb（Allan variance τ=1S），适合在工业应用多种场合使用，良好的老化率使得其适用性和连续使用率相对较高，时域特性是比较优的状态。

恒温晶振除时域表征外，频域表征特征也是很重要的考核因素，其中包括波形及相噪等特征。这款恒温晶振标配波形（Output Signal）为方波LVCMOS，占空比（Duty Cycle）为45%~55%，上升/下降时间（Rise/Fall Time）为5ns，符合大多数10MHz信号对应数字波形。

晶诺威科技产恒温晶振（Part Number:9XG10M3H）在频域特征中相对同类恒温晶振，比较优越的性能主要表现在相噪参数，相噪即相位噪声，一般是指信号功率和噪声功率的比率，随着频标源性能的不断改善，相位噪声值越来越小，相位噪声是低相噪高稳定度恒温晶振频域表征特质中比较重要的技术指标。

该款恒温晶振相噪指标如下：

在对信号进行补偿时，一般以1Hz带宽为单位来测量相位噪声，这款158dBc/Hz（@100KHz）的相噪指标，满足了现代工业对低相噪参数的要求，对雷达系统，接收机系统，通讯系统中对恒温晶振的低相噪要求有着至关重要的发展作用。

恒温晶振的频率特征重要的指标包含频率准确度和频率稳定度，该款低相噪高稳定度恒温晶振的频率准确度可以达到≤±100ppb（出厂校准Calibration@25℃）；频率稳定度（Frequency Stability）为0.01ppb/s。在恒温晶振的特性中频率准确度是绝对的指标，主要指晶振振荡频率和标称频率的差值，而频率稳定度是个相对的指标是频率随时间或者其他因素变化的程度，一般分为长期频率稳定度和短期频率稳定度。一般恒温晶振需要关注的是晶振的瞬时频率变化，即短期稳定度的指标。前面提到的相位噪声值也是对恒温晶振扥短期稳定有影响的重要指标，好的相位噪声指标，可以优化恒温晶振的使用性能，延长恒温晶振的使用寿命。

在考量恒温晶振时，一些主要的指标包含谐波，杂散，温度特性，电压特性，负载特性等特性参数。该款恒温晶振的温度特性可以达到≤±10ppb（-10℃～+70℃，相对于25℃），温度特性是指环境温度在规定的范围内按预定的方式改变时，其输出频率产生的相对变化特性，这款低相噪恒温晶振的温度特性变化值较小，在规定温度范围内，温度变化对低相噪恒温晶振的精度值影响不大。电压特性可以达到≤±5ppb（电源电压变化±5%），压控线性度≤±10%，工作电压3.3V，工作电流在启动时≤750mA；在25℃,稳态时≤300mA，负载特性可以达到≤±5ppb（负载变化15pF±10%）。

该款恒温晶振（PN:9XG10M3H）工作温度为-10℃～+70℃，满足恒温晶振设计输出要求和现代工业环境应用，贴片式封装，尺寸为14.9*9.7*7.0 mm。如下图所示：

恒温晶振（PN:9XG10M3H）推荐焊盘尺寸：