8MHz晶振对电容有要求吗？

答：8MHz晶振对电容有要求，具体取决于晶振的类型（无源晶振或有源晶振）以及电路设计。

以下是不同情况下的电容要求：

1、无源晶振（晶体谐振器）

无源晶振需要外部电容来辅助起振，电容值的选择对振荡电路的稳定性和频率精度至关重要。

负载电容（Load Capacitance, CL）

无源晶振的规格书中会标明负载电容（CL），通常为12pF、18pF、20pF 等。外部电容需要根据晶振的负载电容值来选择。

计算公式

外部电容( C1) 和( C2) 的值可以通过以下公式计算：

其中：

CL是晶振的负载电容。

C1和C2是外部电容。

Cstray是电路中的杂散电容（通常为 2pF~5pF）。

通常C1 = C2，因此公式简化为：

如果晶振的负载电容为18pF，杂散电容为3pF，则：

2、 有源晶振（晶体振荡器）

有源晶振内部已经集成了振荡电路，因此不需要外部电容。只需要将晶振的输出信号连接到芯片的时钟输入引脚即可。

3、 其他注意事项

电容精度：建议使用精度较高的电容（如：±5%的陶瓷电容），以保证振荡频率的稳定性。

电容类型：推荐使用NPO/C0G类型的陶瓷电容，因为它们的温度稳定性较好。

布线影响：电容应尽量靠近晶振引脚，以减少杂散电容和噪声干扰。