8MHz无源晶振外接电容用20pF还是22pF？

答：通常，20pF和22pF的差异不大，但需根据具体情况进行调整。

关于8MHz无源晶振电路中电容的选择，晶诺威科技进一步分析如下：

8MHz晶振的外接电容选择，主要取决于晶振的负载电容（CL）要求以及电路中的杂散电容（Cstray）总量。而晶振的负载电容（CL）则是由该方案的芯片手册所指定，如8pF、10pF、12pF、15pF还是20pF等。

1、 晶振的负载电容

晶振的数据手册通常会标明其负载电容（Load Capacitance，CL），常见值为 12pF、18pF、20pF 等。

外接电容（C1和C2）与晶振的负载电容（CL）关系如下：

其中：

C1 和C2 是外接电容。

Cstray 是电路板的杂散电容（通常为 2pF~5pF）。

如果晶振的负载电容 CL 为 20pF，且杂散电容为 3pF，则：

通常 C1=C2，因此：

但实际中，在忽略（或无视）晶振负载电容（CL）的情况下，工程师常用 20pF~22pF 的电容，貌似这样的选择晶振也能正常工作。这主要是因为有些8MHz时钟电路对晶振的频率精度要求容差范围较宽。然而，基于杂散电容和电路设计可能会影响最终值。

为了谨慎起见，晶诺威科技建议如下：

2、实际调试

如果电路对频率精度要求较高，建议通过示波器或频率计测量实际振荡频率，调整外接电容值。

如果频率偏高，可适当增大电容；如果频率偏低，可适当减小电容。

附：晶诺威科技产8MHz车规级SMD3225晶体谐振器（无源晶振）规格参数如下：