晶振知识
  • 晶振负载电容匹配中的杂散电容Cs预估值一般是多少?
    2024-04-29
    晶振负载电容匹配中的杂散电容Cs预估值一般是多少? 答:一般在3~5pF或4~6pF。 杂散电容 又称为寄生电容或分布电容,是指电子电路中不经意间产生的电容效应。在晶振电路中,杂散电容主要来源于电路板上的导线、元器件之间的绝缘不完全或元件间距过小等因素。这些电容虽然微小,但却会对晶振的性能产生显著影…
  • 硅晶振和石英晶振的区别
    2024-04-27
    硅晶振和石英晶振在工作原理、频率稳定性、温度特性、成本以及抗震性方面有显著的区别。 工作原理: 石英晶振:利用石英晶体的压电效应产生振荡。当石英晶体受到外加电场作用时,其形状会发生微小变化,这种变化产生一个相反的电场,形成稳定的振荡信号。 (贴片晶振内部的石英晶片) 硅晶振:基于MEMS(微电子机械…
  • 如何确定晶振负载大小?
    2024-04-25
    如何确定晶振负载大小? 答:晶振负载的大小通常由晶振厂家确定,可以在晶振数据手册中找到。一般来说,晶振负载大小与晶振频率和电路环境有关,需要根据具体的应用场景(参考IC手册)进行选择。 举例: 若8MHz晶振负载电容CL=20PF;32.768KHz晶振负载电容=12.5pF,晶诺威科技建议匹配电路…
  • What is an active or passive crystal oscillator?
    2024-04-24
    What is a crystal oscillator ? Some electronic devices require an AC signal with a highly stable frequency, while the LC oscillator has poor stability…
  • 26MHz车规晶振SMD3225温测:频率及电阻变化数据
    2024-04-22
    晶诺威科技产26MHz车规晶振SMD3225测试数据如下: 测试参数设置: 常温:+25℃ 负载:15pF 精度:±10ppm   晶诺威科技产26MHz车规晶振SMD3225温测数据如下: 测试温度:-40~+85℃ 1、晶振频率变化(PPM)vs 温度(Temperature) 2、晶…
  • 晶振FDLD不良是什么原因造成的?
    2024-04-18
    晶振FDLD不良是什么原因造成的?晶诺威科技解释如下: FDLD解释 MaxF~MinF,在指定功率驱动晶振时所测得的(频率最大值~频率最小值)频率差值,FDLD越小越好。 FDLD不良原因 在晶振制造过程中如果受到环境污染,所测得FDLD值就会偏高,FDLD不良会导致晶振频偏超差或时振时不振现象发…
  • 晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225电气参数测试说明(英文版)
    2024-04-17
    晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225电气参数测试说明(英文版)说明如下: MAIN ELECTRICAL SPECIFICATIONS 1. Nominal Frequency 2. Oscillation Mode 3. Load Capacitance 4. Frequency Toleranc…
  • AEC-Q200车规晶振可靠性测试说明(英文版)
    2024-04-17
    AEC-Q200车规晶振可靠性测试说明(英文版) RELIABILITY SPECIFICATIONS (Conforms to AEC-Q200) Measurement condition Electrical characteristics measured by S&A250B or…
  • 贴片晶振回流焊作业指导
    2024-04-16
    建议贴片晶振回流焊作业(SMD products Reflow profile)如下:  
  • CMOS输出有源晶振电流功耗说明(含输出使能及待机功能)
    2024-04-16
    关于有源晶振电流功耗说明(含输出使能及待机功能),晶诺威科技举例如下: 方波(CMOS)输出有源晶振主要电气参数 *1 Frequency tolerance includes initial frequency tolerance, temperature variation, supply vo…
电话:0755-23068369