2023-02-17

为什么通常要加两颗谐振电容CL1和CL2？说明如下： 在无源晶振振荡电路中，我们经常在无源晶振两边增加的谐振电容也称对地电容、外接电容或匹配电容。其原因解释如下： 1、无源晶振外壳所标注的频率（一般也是晶振数据手册标注的标称频率），既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时应测定的频…

2023-02-17

有源晶振起振条件是什么？ 答：有源晶振要上电，就能起振。一般有源晶振额定输入电压为：1.8V、2.8V、3.0V、3.3V或5V。请根据晶振规格书建议提供其工作电压，电压安全浮动范围为±10%。 注： 无源晶振要匹配电容，同时有起振芯片才可能起振。

2023-02-16

关于ESR(等效串联电阻)在石英晶体电路中的重要性，说明如下： ESR（等效串联电阻）是同相交流电阻之和,它包括在特定频率下的介质、板材和终端引线的电阻。ESR的作用类似于与电容器串联的电阻器。 首先要说明的是，这不是一个被测量的参数，而是一个从等效晶体电路导出的数字。然而，实际测量的谐振电阻参数相…

2023-02-16

关于晶振悬空脚是否可以接地的问题，首先分清楚晶振分为无源晶振和有源晶振两种，解释如下： 关于无源晶振 4引脚无源晶振的悬空脚，一般指的是2号脚和4号脚，可以和地连接，也可以悬空处理，晶诺威科技建议接地，以抗干扰（尤其是针对RF射频应用）。1号脚和3号脚分别为频率信号输入脚和频率信号输出脚，没有方向之…

2023-02-15

关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题，解释如下： 一般情况下，与AT切MHz晶振相比，音叉式KHz晶振对驱动功率要求很低。针对无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率（DRIVE LEVEL），我们推荐激励功率为0.1~0.2uW。原则上不可超过1.0uW。为了保…

2023-02-13

对地电容又叫外接电容或匹配电容，一般情况下，针对32.768KHz无源晶振电路，其可选容值在6PF~22PF之间。对地电容主要应用于无源晶振的振荡电路中，其作用是对晶振的实际输出频率起到一个微调的作用。其原理如下： 1、对地电容容值减小，晶振输出频率偏正向变化。 2、对地电容容值变大，晶振输出频率偏…

2023-02-11

有哪些因素影响无源晶振起振时间？晶诺威科技归纳四点如下： 1、负载电容（CL） 如果负载电容很大，静态电容C0的改变对频率变化的影响很小，频率更加稳定。所以负载高，远端相位噪声好；若过大，则很难调整到标称频率，无源晶振起振慢。相反，如果负载电容较小，静电容C0的微小变化会造成频率的明显变化。近端相位…

2023-02-09

如何提高晶振输出的频率精度？晶诺威科技解释如下： 首先，晶振分为无源晶振（晶体谐振器）和有源晶振（晶体振荡器）两种。无源晶振的输出频率精度可微调，而有源晶振的频率输出精度不可调。 通常，晶振输出的时钟精度是由其本身频率精度所决定，外部条件的改变并不能大幅度提高晶振输出频率精度，一般要更换更高精度的晶…

2023-02-08

RF工程师在设计新系统时要做出的最重要决策之一是选择正确类型的振荡器，并确定最适合应用的信号输出（如：正弦波SINEWAVE、削峰正弦波CLIPPED SINEWAVE或方波CMOS）。每种输出波形都有自己的优点和缺点。在本文中，我们将讨论温补晶体振荡器（TCXO）及其产生的削波正弦波。我们将介绍T…

2023-02-07

Some Precautions for SMT Flowing Conditions of Our HC-49SMD Crystal Products石英晶体谐振器HC-49SMD回流焊作业注意事项 1、 Reflow Condition(回流焊条件) Please Strictly stay w…