2024-09-15

关于有源晶振OSC7050 81.360MHz晶振料号05G81M365B，说明如下： PRODUCT TYPE: 石英晶体振荡器 OSC7050 GNW P/N: 05G81M365B Description 产品描述： Crystal Oscillator Nominal Frequency 标…

2024-09-14

关于4.096MHz石英晶体谐振器 HC-49US-DIP规格参数及使用说明，晶诺威科技解释如下： GNW P/N晶诺威料号：01G4M096GB2 Electrical Characteristics电气参数详情： MARKING AND DIMENSIONS 外形尺寸图 Frequency Te…

2024-09-13

About quartz crystal's  mounting, cleaning and storage Mounting This component is designed for automatic insertion. However, you are requested to do t…

2024-09-12

晶振的总频差等于调整频差+温度频差吗？ 答：是的，若排除电压变化，负载变化，老化率，回流焊等因素的话，晶振的总频差等于调整频差+温度频差。 举例：某款晶诺威科技产晶体谐振器SMD3225 26MHz主要电气参数如下： 解释： 该款晶振的调整频差为 ±10ppm，温度频差（-20℃~+70℃）为±10…

2024-09-12

晶振封装滚边焊和激光焊哪个更好？ 答：相对而言，采用滚边焊封装技术生产的晶振密封性更好，可靠性更高。 （晶诺威科技产SMD贴片晶振采用滚边焊封装方式） 滚边焊晶振主要用于对晶振稳定性和可靠性要求较高的应用场景中，如工业自动化控制、医疗设备、安防监控等领域，滚边焊封装技术得到了广泛应用。激光焊晶振一般…

2024-09-11

（晶诺威科技产10MHz温补晶振TCXO-DIP14测试数据）

2024-09-10

关于芯片STM32F103中LSE（低速时钟）32.768KHz晶振的选取，晶诺威科技解释如下： 低速外部时钟 对于LSE，在STM32F103x8B_DS_CH_V10中说明如下： 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体谐振器构成的振荡器产生。在应用中，谐振器和负载电容必须尽可…

2024-09-09

（该芯片推荐晶振负载电容为：最小值5pF，典型值7pF，最大值9pF） 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求，需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例：某款芯片对晶振外接电容配置说明如下： On-chip default connected capacitance including reference…

2024-09-08

无源晶振串联电阻一般选取多大？ 答：如果晶振电路不存在来自MCU的激励功率过驱，则无需串联电阻（阻尼电阻）。因为串联电阻意味着在晶振起振电路中额外增加了阻抗，其值过大可能造成晶振起振慢或停振。 如果晶振起振电路确实存在过驱现象，造成输出波形畸变，可以串联几十欧姆的电阻。晶诺威科技建议串联电阻具体数值…

2024-09-07

晶振电阻大不利于驱动吗？ 答：是的，晶振电阻越大，起振越困难。如果晶振电阻严重超差，则会造成晶振无法起振。因此在晶振选型时，请关注IC手册对晶振等效串联电阻（ESR）大小的要求，如：小于30欧姆。