2024-05-25

外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响？ 如果晶振的外接电容值选择不当，可能会对电路产生以下影响： 1、频率稳定性：电容值过小可能导致频率稳定性下降，容易受到外界因素的干扰。电容值过大可能会使频率偏离标称值。 2、起振问题：电容值不合适可能导致晶振无法正常起振或起振困难。 3、功耗增加：不恰当的电…

2024-05-24

（晶诺威科技产8MHz陶瓷封装SMD5032-2P） 晶振金属（SEAM）封装和陶瓷（GLASS）封装有差异吗？ 答：几乎没有差异。 晶诺威科技解释如下： 两者只是上盖选材差异，其它设计完全一样。如果电气特性一样，且焊盘（FOOT PAD）相同，同规格晶振可以相互替换，不会造成使用问题。通常，因上盖…

2024-05-22

晶诺威科技产晶体谐振器SMD1210主要参数如下： 频率范围：24MHz to 54MHz 体积：1.2x1.0x0.30mm 工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85 激励功率：10μW(200μW max.) 晶体谐振器SMD1210特点及优势： 小体积 低功耗 易起振 高稳定性 抗干扰…

2024-05-22

一般贴片晶振的外壳可以承受多大外力？ 答：晶振本体荷重：10N，持续时间：10秒，治具：R0.5（制品中心位置）。 附：晶诺威科技晶振产品可靠性测试

2024-05-21

（-40~+125℃温度区间内滚边焊SMD3225 8MHz晶振频率及电阻变化曲线） 晶振激光焊封装和滚边焊(SEAM)封装差异对比如下： 激光焊封装 在氮气环境中，使用激光产生的高温将晶振盖板与晶振基座焊接完成封装，该工艺主要用于贴片晶振SMD3225生产。 滚边焊（SEAM）封装 晶振滚边焊(S…

2024-05-20

（LVDS Output 74.25MHz 12kHz-20MHz 156fs） 74.25MHz LVDS差分晶振电气参数及引脚说明如下： Applications 主要应用 HD Video 高清视频 SDI/HD-SDI Features 特点 74.25MHz LVDS差分信号输出 Supp…

2024-05-20

RF射频设备晶振频偏会导致射频距离变短吗？ 答：是的，晶振频偏会直接影响RF射频距离。如果蓝牙晶振选型或使用不当，例如100米信号发射及接收距离可能缩短，如50米。 （Bluetooth Tacking Distance） 关于RF射频设备信号传输距离，在晶振选型方面，晶诺威科技解释如下： 1、 请…

2024-05-20

晶振厂家规格书内的CL是什么含意？ 答：是指制作振荡器时加的负载电容，通常表示为CL，它是晶振在正常工作时需要连接的负载电容，用来与谐振器自身和外部电路形成谐振回路，这样其输出振荡频率才会准确。 在实际应用中，会根据不同的应用场景选择合适的负载电容晶振。 例如，在便携式电子设备中，通常希望降低功耗以…

2024-05-18

低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗？ 答：不能。 一般情况下，低负载意味着低功耗，驱动级别低。因此，如果用低负载电容的晶振代替高负载电容的晶振，如CL=6pF代替CL=20pF，可能造成晶振频偏超差或过驱，造成系统相关功能失效。 晶诺威科技产低负载低功耗晶振SMD1612规格参数如下：

2024-05-17

（无线门铃） 晶诺威科技产SMD3225-4p晶振27.13827MHz主要参数如下： 标称频率 Nominal Frequency：27.13827MHz 晶体切型Cutting Mode：AT Cut 封装类型 Holder Type：无源贴片晶振 SMD 3.2mm*2.5mm 焊盘数量Pad…