OCXO-6X
- 特点优势:
1、 内含SC切晶体
2、具备高精度、高稳定性、低抖动等特性
3、Stratum 3 (频率稳定性 ±4.6 ppm ，含10年老化率).
3、主要应用于5G基站、高精时间同步设备、高精度时钟参考电路、高精度测量设备、及对频率精度有着极高要求的其它应用领域。
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OCXO-6X主要参数:
频率范围:5.000MHz~100.000MHz
体积:36.3×27.2×12.7 mm
工作电压:5.0V / 12V
调整频差：±100ppb Max.
工作温度(°C)：-20~+70,-40~+85
输出方式：LVTTL /Sine Wave
输出负载：15pF
占空比：45~55%
上升/下降时间：/
功耗：1W Max.
OCXO-9M
- 特点优势:
1、小尺寸OCXO恒温晶振 ：25.4 x 25.4×12.7mm
2、AT切割晶体、SC切割晶体
3、低相噪
4、带压控功能
5、主要应用于5G基站、高精时间同步设备、高精度测量设备、基准定时电路等。
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OCXO-9M主要参数:
频率范围:5.000MHz~100.000MHz
体积:25.4×25.4×12.7 mm
工作电压:5.0V / 12V
调整频差：±100ppbMax.
工作温度(°C)：-30~+70°C, or specify
输出方式：LVTTL /Sine Wave
输出负载：15pF
占空比：20~80%
上升/下降时间：/
功耗：1W Max.
OCXO-2X
- 特点优势:
1、OCXO-2X恒温晶振：20.3×12.7×11.0mm
2、低相噪
3、预热快
4、Stratum 3 (整体频率稳定性 ±4.6 ppm，包括 10 年老化)
5、主要应用：5G基站、SDH/SONET、RTC时钟、时钟同步、数字开关、高精度测量仪器等。
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OCXO-2X主要参数:
频率范围:5MHz~40MHz
体积:20.3×12.7×11.0 mm
工作电压:3.3V / 5.0V
调整频差：±0.2ppm Max
工作温度(°C)：-30~+70°C, or specify
输出方式：HCMOS
输出负载：15pF
占空比：45~55%
上升/下降时间：/
功耗：0.8W Max.
OCXO-9X
- 特点优势:
1、小尺寸OCXO恒温晶振 ：14.3×9.3×6.5 mm
2、低相噪
3、Stratum 3 (整体频率稳定性 ±4.6 ppm，包括 10 年老化)
4、主要应用于5G基站、高精度时间同步设备、高精度测量设备、数字开关及基准定时电路等。
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OCXO-9X主要参数:
频率范围:5.000MHz~40.000MHz
体积:14.3×9.3×6.5 mm
工作电压:3.3V / 5.0V
调整频差：±0.1ppm Max.
工作温度(°C)：-30~+70°C, or specify
输出方式：CMOS
输出负载：15pF
占空比：45~55%
上升/下降时间：/
功耗：0.6W Max.
