• 在晶振匹配测试,激励功率大了会怎样?
    2024-08-02
      在晶振匹配测试,激励功率大了会怎样? 答:如果芯片提供了过大的激励功率给晶振,意味着可能发生“过驱”问题。具体表现为晶振发烫、工作不稳定或使用寿命缩短。 在无源晶振规格书中,都会明确注明晶振的激励功率的典型值和最大值两个参数。如下图所示: 如果晶振存在“过驱”现象,晶诺威科技建议通过给…
  • 25MHz晶振输出串联电阻是多大?
    2024-07-19
    25MHz晶振输出串联电阻是多大? 答:在无源晶振电路实际应用中,如果不存在晶振被芯片过驱问题,不需要增加串联电阻。 关于晶振的等效串联电阻和(电路中)串联电阻的区别 等效串联电阻(ESR): 无源晶振本身电气参数之一(意思是:相当于在电路中串联了一个电阻的大小),该值的大小因晶振封装尺寸而异,如:…
  • 晶振是否需要串联电阻?
    2024-07-02
    晶振是否需要串联电阻? 答:32.768KHz无源晶振电路不需要串联电阻;MHz无源晶振电路,只有在过驱(激励功率过大)的情况下才串联几十Ω的电阻。在没有过驱的情况下,也无需串联电阻。 如下图所示: 32.768KHz晶体谐振器与8MHz晶体谐振器典型振荡电路  
  • 晶振电路中串联等效电阻(ESR)与串联电阻(Rs)的区别
    2024-06-11
    关于晶振电路中串联等效电阻(ESR)与串联电阻(Rs)的区别,晶诺威科技解释如下: 在无源晶振应用电路中,晶振的串联等效电阻(Equivalent Series Resistance,简称ESR)指的是晶振本身的电阻;而串联电阻(Series Resistance ,简称Rs/Rext)指的则是一个…
  • 低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗?
    2024-05-18
    低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗? 答:不能。 一般情况下,低负载意味着低功耗,驱动级别低。因此,如果用低负载电容的晶振代替高负载电容的晶振,如CL=6pF代替CL=20pF,可能造成晶振频偏超差或过驱,造成系统相关功能失效。 晶诺威科技产低负载低功耗晶振SMD1612规格参数如下:
  • 温度变化及电压变化对无源晶振电路的影响
    2024-04-29
    Temperature and Voltage Issues(温度变化及电压变化对无源晶振电路的影响) The circuit should be tested over the entire temperature and voltage range in which it is expected…
  • 无源晶振输出的正弦波波峰被削平是什么原因?
    2024-04-28
    无源晶振输出的正弦波波峰被削平是什么原因?晶诺威科技解释如下: 理想的振荡器能保持频率长时间稳定,无频率变化,输出波形为清晰的正弦波输出。 当使用示波器检测无源晶振频率输出脚时,检测到非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动; 相反,如果检测到无源晶振输出的正…
  • 晶振上板上电后频偏怎么办?
    2024-01-05
    晶振上板上电后频偏怎么办?以无源晶振24MHz在蓝牙产品的应用为例: 晶振电气参数 标称频率(Nominal Frequency)=24MHz 负载电容(CL)=18pF 调整频差(Frequency Tolerance)=±10ppm 该无源晶振24MHz上板上电后实测数据如下: 如上图,晶振本身…
  • 起振电容在无源晶振电路中的作用
    2023-12-29
    关于起振电容在无源晶振电路中的作用,晶诺威科技解释如下: 无源晶振电路中不只是有一个晶体谐振器。为了满足谐振条件让晶振起振正常工作,通常还有两个电容器。这两个电容被称之为“匹配电容”或者“谐振电容”。一般外接的这两个电容是为了使无源晶振两端的等效电容等于或接近于其负载电容。 在无源晶振电路中,起振电…
  • 无源晶振电路中并联电阻和串联电阻的作用是什么?
    2023-12-17
      无源晶振电路中电阻的作用是什么? 在无源晶振起振电路中,通常我们会发现存在两个电阻:并联电阻和串联电阻。 1、并联电阻又叫反馈电阻,它使反相器在振荡初始时处于线性工作区。如果我们需要稳定无源晶振的输出波形,就需要增加这个并联电阻。晶诺威科技建议MHz晶振并联1M欧姆,KHz晶振并联10…
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