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芯片对晶振外接匹配电容的配置要求2024-09-09(该芯片推荐晶振负载电容为:最小值5pF,典型值7pF,最大值9pF) 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求,需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例:某款芯片对晶振外接电容配置说明如下: On-chip default connected capacitance including reference…
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关于芯片外部晶振放置位置的说明2024-08-22SUGGESTED PLACEMENT OF THE OSCILLATOR CIRCUIT 关于芯片外部晶振放置位置,晶诺威科技说明如下: External Oscillator Pins Many microcontrollers have options for at least two os…
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无源贴片晶振 SMD3225 26MHz 12pF外接电容多少pF?2024-07-10无源贴片晶振 SMD3225 26MHz 12pF外接电容多少pF? 答:若PCBA杂散电容估算为3~5pF,建议电路中的外接电容器(C1=C2)≈15~18pF。外接电容等值选取(C1=C2),更有利于振荡电路的稳定性。 若外接电容器C1=C2=12pF,建议选择负载电容(CL)≈8pF的无源晶振…
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外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响?2024-05-25外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响? 如果晶振的外接电容值选择不当,可能会对电路产生以下影响: 1、频率稳定性:电容值过小可能导致频率稳定性下降,容易受到外界因素的干扰。电容值过大可能会使频率偏离标称值。 2、起振问题:电容值不合适可能导致晶振无法正常起振或起振困难。 3、功耗增加:不恰当的电…
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9pF晶振选多大电容?2024-02-049pF晶振选多大电容? 答: 12pF 晶诺威科技解释如下: 在一些情况下,为晶振添加适当的负载电容是必要的。这有助于维持振荡的稳定性,确保信号的质量和准确性。 当负载电容CL=9pF,建议外接电容C1=C2=12pF。
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32.768KHz晶振6pF的匹配电容是多少?2023-12-0832.768KHz晶振6pF的匹配电容是多少? 答:建议两个匹配电容分别为9pF。 关于32.768KHz晶振6pF的两个外接匹配电容,晶诺威科技建议等值选取,取值9pF。请根据实际时间的快慢来调节外接电容的大小,其规律是时间快,请上调外接电容值;如果时间慢,请下调外接电容值。 32.768KHz晶…
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无源晶振电路中两端的电容起到什么作用?2023-11-11无源晶振电路中两端的电容起到什么作用?晶诺威科技解释如下: 只有在外部所接电容为匹配电容的情况下,振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。在某些情况下,也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率,当然可调范围一般在±10ppm量级。 常见晶振不良现象如下: 一、 晶振时振时不振。 1、晶振负载…
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晶振匹配电容的大小有没有区别?2023-09-17晶振匹配电容的大小有没有区别? 答:有很大区别。 晶诺威科技解释如下: 与晶振匹配的外接电容过大,会造成晶振实际输出频率偏负向(系统时钟变慢)、起振慢或者停振。 与晶振匹配的外接电容过小,会造成晶振实际输出频率偏正向(系统时钟变快)。 总之,晶振的外接电容既然叫“匹配电容”,就是既不能大,也不能小,…
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无源晶振输出频率超差的原因有哪些?2023-08-23晶振输出频率超差的原因有哪些? 答:主要有以下三个方面: 1、常温下晶振频率精度不够(建议:请在晶振选型时留有充分余量); 2、温度变化下晶振精度不够(建议:请在晶振选型时留有充分余量); 3、电路应用不当,频率误差来源来自振荡电路上的外围元器件配置,这些组件包括IC对晶振的规格要求(晶振本身负载电…
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负载电容CL=12PF时24MHz晶振匹配电容选多大?2023-07-02负载电容CL=12PF时24MHz晶振匹配电容选多大? 答:建议15~18PF。 解释说明: 关于CL=12PF时晶振匹配电容选值的具体大小,请使用频率计数器以晶振实际输出频偏为依据进行调整,调整逻辑为反比关系。24MHz晶振PPM值与频偏范围对照如下: ±10PPM:23.999760MHz~24…