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为何外接电容越大晶振起振越慢?2021-08-18首先说明的是:但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外,注意区分外接电容C1和C2(接地电容,对地电容)并不等同于晶振负载电容(CL)。C1和C2是电路板和包括IC 和晶振在内的组件的总电容值。 一般情况下,增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降,即偏负向。举例,若无源晶振12MHz的外接电容…
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无源晶振起振电路图,无源晶振起振电路解析与无源晶振起振电路电容使用说明2021-04-03(无源晶振起振电路图) 无源晶振起振电路图备注: 1、C1、C2为外接电容,根据与晶振负载电容匹配程度选值 2、R1、R2可以根据实际情况调整磁珠阻抗的大小 3、C3为预设计,可根据测试情况增加或者降低 4、C1/C2可根据测试情况进行大小调整 在无源晶振实际使用中,我们经常遇到的问题一般有两点:…
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纠正无源晶振Crystal负载电容CL的理解误区2021-03-03在无源晶振的实际电路应用中,我们不可避免的会遇到电容匹配问题。电容匹配不好,会直接导致晶振起振延迟、频偏等问题,导致电路板上电后系统可能无法正常启动。那么电容匹配到底指的是什么?该如何正确匹配? 首先,负载电容CL不等于外接电容。 负载电容CL指的是晶振的一个内部重要电气参数。 一般情况下,对功耗不…
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你对晶振的激励功率了解有多少?2020-06-28晶振的激励功率:指的是已经内设的晶振耗损功率数值。 英文:Drive Level 输入激励功率的大小直接影响着晶振本身的性能,所以电路设计者一定要严格按照要求,在晶振规定的激励功率内,输入其所需功率,以便充分保障晶振的正常工作。 激励功率一般以微瓦(Micro Watt)为单位。近年来,随着晶振生产…