2021-11-15

无源晶振两边加谐振电容的原因分析如下： 无源晶振的标称频率指在测试时有一个“负载电容”的条件---在晶振工作时满足这个条件，振荡频率才可能与频率标称值一致（只有在合适的外接电容值满足无源晶振的起振要求时，晶振才能正常工作）。 无源晶振的实际输出频率并不是完全固定的，而是可以在一定范围内微调，起微调作…

2021-10-08

一般单片机晶振旁边都会有两颗起振电容，又叫接地电容、匹配电容或外接电容。 晶振电路中为什么要使用起振电容呢? 因为在无源晶振振荡电路中，只有在外接电容为合适匹配电容的条件下，才能保证晶振实际振荡频率在晶振标称频率的误差范围内振荡。 从原理上讲，直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样搭建的振…

2021-09-25

晶振振荡原理 振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。从能量的角度来说，正弦波振荡器（无源晶振）是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。 晶振等效电路 在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，…

2021-09-23

  (32.768KHz晶振输出频率测试) 无源晶振频率异常原因分析如下：  杂散电容 请检查电路板杂散电容随着温度变化而产生的变化量。在电路板通电后，电路板温度变化会导致电路板杂散电容增加，这些寄生电容变化会直接影响晶振的负载电容值，可能造成晶振振荡频率会发生偏移。  驱动功率 如果驱动…

2021-09-14

有关晶振电容相关资料，晶诺威科技汇总如下： CL CL(负载电容load capacitance)是一个非常至关重要的参数。如果晶振的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数匹配不正确的话，很容易造成频率偏差，精度误差等，从而导致晶振无法达到最终的精准要求。当然也存在对负载电容参数不是特别严格的厂家。R…

2021-09-06

(晶诺威科技贴片晶振产品图) 避免无源石英晶振发生不良现象的五点建议如下： 1、 由于无源石英晶振为被动电子元件，只有在IC提供适当的激励功率条件下才能正常工作。当激励功率过低时，无源石英晶振不易起振；当激励功率过高时，会造成对晶振的过激励(over- driven)，致使石英晶片存在破损风险而引起…

2021-08-18

首先说明的是：但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外，注意区分外接电容C1和C2（接地电容，对地电容）并不等同于晶振负载电容（CL）。C1和C2是电路板和包括IC 和晶振在内的组件的总电容值。 一般情况下，增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降，即偏负向。举例，若无源晶振12MHz的外接电容…

2021-07-05

电容是什么？ 电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。电容是指容纳电场的能力。任何静电场都…

2021-06-17

一般情况下，晶振起振慢的情况主要发生在无源晶振的电路应用上，主要原因是晶振受到外接电容与电路板杂散电容共同作用所致。 晶振的负载电容是晶振本身的参数，为固定值。而晶振的外接电容指的是与晶振的频率输入脚与频率输出脚串联接地的电容元件，因此外接电容又叫接地电容（对地电容）。 选择外接电容时，需要考虑电路…

2021-04-03

 （无源晶振起振电路图） 无源晶振起振电路图备注： 1、C1、C2为外接电容，根据与晶振负载电容匹配程度选值 2、R1、R2可以根据实际情况调整磁珠阻抗的大小 3、C3为预设计，可根据测试情况增加或者降低 4、C1/C2可根据测试情况进行大小调整 在无源晶振实际使用中，我们经常遇到的问题一般有两点：…