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无源晶振频率异常原因分析2021-09-23(32.768KHz晶振输出频率测试) 无源晶振频率异常原因分析如下: 杂散电容 请检查电路板杂散电容随着温度变化而产生的变化量。在电路板通电后,电路板温度变化会导致电路板杂散电容增加,这些寄生电容变化会直接影响晶振的负载电容值,可能造成晶振振荡频率会发生偏移。 驱动功率 如果驱动…
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晶振的负载电容,匹配电容,静电容及杂散电容分别指什么?2021-09-14有关晶振电容相关资料,晶诺威科技汇总如下: CL CL(负载电容load capacitance)是一个非常至关重要的参数。如果晶振的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数匹配不正确的话,很容易造成频率偏差,精度误差等,从而导致晶振无法达到最终的精准要求。当然也存在对负载电容参数不是特别严格的厂家。R…
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为什么用手触摸一下晶振就会起振?2021-09-06一般这种情况发生在无源晶振的电路应用,原因分析为连接晶振模块(包括匹配电容)和主芯片引线过长会增加寄生电容,同时更加容易受到静电干扰以及其它信号线的串扰。晶振在频率范围的临界点(边缘值)振荡,造成芯片无法正常捕捉到晶振频率信号。 用手触摸晶振时,手上自带的静电或手本身作为一个电容器改变了电路板的杂散…
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晶振容易坏吗?晶振坏的原因有哪些?晶振使用中需要注意什么?2021-08-26晶振容易坏吗? 答:晶振确实容易损坏! 晶诺威科技解释如下: 石英晶振频率越高,内置石英晶片越薄,越易破碎,因此频率越高的晶振越脆弱。另外,插件晶振涉及人工焊接,误操作的可能性增加,因此与经由自动化贴片的贴片晶振比,不良现象更多发生。 晶振坏的原因有哪些?晶振使用中需要注意什么?回答如下: 1、晶振…
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为何外接电容越大晶振起振越慢?2021-08-18首先说明的是:但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外,注意区分外接电容C1和C2(接地电容,对地电容)并不等同于晶振负载电容(CL)。C1和C2是电路板和包括IC 和晶振在内的组件的总电容值。 一般情况下,增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降,即偏负向。举例,若无源晶振12MHz的外接电容…
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在晶振电路中如何选择外接电容?2021-07-05电容是什么? 电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。电容是指容纳电场的能力。任何静电场都…
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蓝牙晶振频偏合理范围是多少?2021-06-09蓝牙晶振频偏合理范围: 一般蓝牙晶振频率在常温下(25℃±2℃)精度应为±10ppm ,在工作温度为-20~+70℃或-40~+85℃温度区间,频差为±10ppm ~ ±30ppm。 蓝牙晶振的作用为无线数据连接与传输,因此对晶振精度及工作稳定性有着较为严格的要求。在采购中,需要注意晶振的精度及负载…
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无源晶振起振电路图,无源晶振起振电路解析与无源晶振起振电路电容使用说明2021-04-03(无源晶振起振电路图) 无源晶振起振电路图备注: 1、C1、C2为外接电容,根据与晶振负载电容匹配程度选值 2、R1、R2可以根据实际情况调整磁珠阻抗的大小 3、C3为预设计,可根据测试情况增加或者降低 4、C1/C2可根据测试情况进行大小调整 在无源晶振实际使用中,我们经常遇到的问题一般有两点:…
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晶振输出频率异常怎么办?2021-03-30晶振在数码产品及智能设备中的应用已经相当普及,因此晶振在实际电路应用中往往也出现许多问题,比如晶振实际输出频率异常,包括无频率信号输出或输出频率信号与标称频率存在严重差异。 原因如下: 实际激励功率超出晶振指定范围 负载电容与规范中指定值存在差异 外接电容与晶振负载电容不匹配 晶振精度与IC指定值不…
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纠正无源晶振Crystal负载电容CL的理解误区2021-03-03在无源晶振的实际电路应用中,我们不可避免的会遇到电容匹配问题。电容匹配不好,会直接导致晶振起振延迟、频偏等问题,导致电路板上电后系统可能无法正常启动。那么电容匹配到底指的是什么?该如何正确匹配? 首先,负载电容CL不等于外接电容。 负载电容CL指的是晶振的一个内部重要电气参数。 一般情况下,对功耗不…