2022-07-01

无源晶振起振电路设计：关于C0/C1, CL及RR说明如下： C0/C1对晶体稳定性的影响 晶体（无源晶振）的静态电容C0和动态电容C1大小，与晶片电极面积大小（体积大小）成正比，不同厂家设计C0也有差异。 同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性： C0/C1大，频率上升到标称频率前电抗变大…

2022-06-22

晶诺威科技晶振负载电容匹配对照表 注： 1、电路板杂散电容Cs以3~5PF或4~6PF估算。 2、以下数据为理论值，仅供参考。外接电容实际匹配值请以实测输出频率为准来调整。 关于晶诺威科技产MHz无源晶振负载电容与匹配电容的说明：   关于晶诺威科技产32.768KHz无源晶振负载电容与匹…

2022-06-21

MCU应用广泛，应用场景丰富多彩，工作频率各不相同，电路配置参数比较复杂。其中，振荡器除了提供特定频率外，还必须满足其它需求，如串行或无线接口注重频率精度和稳定性。低功耗表现对手持或电池供电的设备十分必要，RTC尤其如此，因为即使在低功耗或待机模式下，RTC电路始终处于有效状态。当然，成本、封装形式…

2022-06-13

KHz和MHz晶振的负载电容CL值可以直接使用吗？ 答：不能直接使用，建议：晶振负载CL值减去3pF~5pF之后，再乘于2。 注：一般情况下，杂散电容Cs估算值为3pF~5pF。 以晶诺威科技产SMD3225无源晶振25MHz为例： 1、若在晶振规格书中，晶振负载电容CL=8pF，(8-3)x2=1…

2022-05-25

STC89C52单片机的内部有一个高增益反相振荡器，其输入端引脚为19引脚XTAL1，其输出端引脚为18引脚XTAL2，只要在这两个引脚之间跨接一颗无源晶振，再外加两个起振电容（一般可取15~33PF左右，该值主要取决于晶振负载CL），就可以构成一个稳定的自激振荡器。 对于STC单片机，晶振频率范围…

2022-05-20

关于芯片对无源晶振负载电容CL的要求，说明如下： Load Capacitance 指的是无源晶振的负载电容，此参数为无源晶振关键参数之一，会直接影响到晶振的振荡频率和起振条件。 在晶振选型时，我们应该根据芯片对晶振负载电容CL的要求来选取晶振。 比如某芯片对晶振的要求如下： 我们可以看到芯片对晶振…

2022-05-11

（贴片式无源晶振SMD3225-4pad）   晶诺威科技生产的贴片无源晶振8M常见负载电容CL为12PF和20PF,建议如下: 当晶振负载电容CL=12PF时，建议匹配电容在15-18PF之间。 当晶振负载电容CL=20PF时，建议匹配电容在27-33PF之间。 由以上可见，8MHz晶振…

2022-04-27

Cstray is the stray capacitance in the circuit, typically 3-5pF(as is supposed), and C1 and C0 are the external capacitors in the oscillator circuit. …

2022-04-20

石英晶振的激励等级DL（驱动水平、Drive Level） 石英晶振的激励等级可以按照晶振的各种工作状态下的消耗电力，或按照电流的等级来进行表示。如果利用过大的电流来使晶振工作,有可能产生频率不稳定等特性的恶化，以及导致石英晶片可能破损的危险。在使用之前,建议进行电路设计时,确认一下所使用的激励等级…

2022-04-19

(皮尔斯晶振振荡电路) How to calculate the CL? 如何计算负载电容CL？ Use this formula to approximate the value of capacitors needed: 使用下面公式来估算所需的负载电容值： CL=((C1 x C2) / (C…