• 晶振故障单片机自动切换至系统内部时钟造成系统紊乱
    2024-01-12
    关于晶振故障单片机自动切换至系统内部时钟造成系统紊乱问题,晶诺威科技解释如下: 一、 问题描述 在单片机系统中,使用晶振是为了提供稳定的时钟信号,以保证系统的正常运行。通常情况下,单片机会使用外部晶振作为时钟源。然而,外部晶振可能会出现故障,导致系统无法正常工作。为了避免这种情况下系统的瘫痪,我们需…
  • 晶振测试项目都有哪些?
    2023-09-30
    晶振测试项目都有哪些? 晶振性能参数测试的目的是通过评估晶振的各项指标,确保其满足设计要求。关于关键性能参数测试方法,晶诺威科技介绍如下: 1、负载电容测试 负载电容是晶振在特定电路条件下的电容负载。测试负载电容时,需要使用LCR表测量晶振两端的电容值,确保它与设计规格相符。 2、驱动电平测试 驱动…
  • 晶体振荡器的Start-up Time指的是什么?
    2023-08-06
    晶体振荡器的Start-up Time指的是什么? 答:启动时间。 解释: Start-up Time is the time taken for an oscillator waveform to stabilise within specification after power is appl…
  • 等效串联电阻Rs (ESR: Equivalent Series Resistance) 与负阻Negative Resistance
    2023-06-16
    关于无源晶振(晶体谐振器)起振电路中的等效串联电阻Rs (ESR: Equivalent Series Resistance) 与负阻Negative Resistance,晶诺威科技解释如下: Rs or equivalent series resistance (ESR) is a parame…
  • 如何选择晶体谐振器的最佳电气参数?
    2023-06-02
    How to Find the Best Values for Crystal?如何选择晶体谐振器的最佳电气参数? Here we will tell how to find the best values of crystal Clock mode, C1, C2 and Rs. Mostly t…
  • 有哪些因素影响无源晶振起振时间?
    2023-02-11
    有哪些因素影响无源晶振起振时间?晶诺威科技归纳四点如下: 1、负载电容(CL) 如果负载电容很大,静态电容C0的改变对频率变化的影响很小,频率更加稳定。所以负载高,远端相位噪声好;若过大,则很难调整到标称频率,无源晶振起振慢。相反,如果负载电容较小,静电容C0的微小变化会造成频率的明显变化。近端相位…
  • 关于晶振起振时间太慢原因分析及解决方案
    2022-07-15
    (无源晶振电路) 我们都知道,当汽车起步时受到的阻力越大(比如由自身重力或地面摩擦力引起等),或当我们提供给它的动力越小时,汽车起步就会越慢。其实晶振起振慢和汽车起步慢是一个道理: 无源晶振的起振时间在很大程度上依赖于晶振的特性和电路布局。在施加正常的激励功率之下,串行等效电阻(ESR)过大和外围电…
  • 晶振功耗,晶振起振时间与晶振相噪
    2022-07-01
    我们在追求晶振输出频率高精度及高稳定性的同时,也对其功耗、起振时间及相噪等三方面提出了更高要求。 显而易见,当前智能化电子产品呈现高精密化及网络通信设备呈现数据高速化等趋势。具备小尺寸和低功耗的晶振适合在移动设备和穿戴设备中使用,而该类电子产品的特点为:电源电压、电流、体积、功耗相应减小、驱动能力变…
  • 晶振受干扰变慢是什么原因?
    2020-12-21
    一般情况下,晶振起振变慢主要是受到作用于无源晶振的激励功率变弱之影响。激励功率的大小是由时钟芯片所决定,为无源晶振提供必要的起振条件。激励功率的影响主要来自晶振外接电容过大或电路板杂散电容过多,尤其是负载较小的晶振受影响更大。 当发现晶振起振变慢,建议对晶振周边杂散电容进行屏蔽。尝试在检测晶振实际输…
  • 晶振的起振时间是多少?
    2020-12-19
    晶振的起振时间是多少? 回答:一般在10ms(毫秒)内。 组建一个完整的无源晶振振荡电路,需要考虑的主要组合参数有:封装尺寸、调整频差、温度频差、负载电容、外接电容、工作温度、激励功率及绝缘阻抗等。 在晶振电路中,最容易让初步涉及数字电路的电子工程师混淆的即是晶振的负载电容与外接电容。无源晶振的负载…
电话:0755-23068369