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晶振匹配电容过小会正偏吗?
2025-02-22晶振匹配电容过小会正偏吗? 答:是的。晶振匹配电容过小,会导致频率偏正。 (32.768KHz晶振与32MHz晶振应用电路图例) 如果发生晶振输出频率偏正现象,请增大外接匹配电容。举例:如果外接电容为12PF,请尝试调至15pF、18pF或22pF。关于两颗外接电容,建议等值调整,以确保晶振输出频率… -
晶体的负载电容会影响起振吗?
2025-01-21晶体的负载电容会影响起振吗? 答:会的。若晶体的负载电容选择错误,可能导致晶体频偏、起振慢或不起振等问题。 晶诺威科技建议: 关于晶体的负载电容选择,请参照芯片手册及晶振供应商给出的最佳匹配电容参考值。 -
9pF和12pF负载电容的晶振有什么区别?
2025-01-189pF和12pF负载电容的晶振有什么区别? 答:晶振负载电容(CL)的大小一般是由芯片方案决定。 如果晶振负载电容(CL)选择错误,可能会导致晶振时钟电路不稳定或故障,具体表现为晶振起振时间延长、频率稳定性降低、频率精度误差增加、波形幅值不够等诸多问题。因此,如果芯片手册指定晶振负载电容(CL)为9… -
Crystal 12MHz and 25MHz for W5500-EVB-Pico
2024-12-31W5500-EVB-Pico Crystal 12MHz and 25MHz for W5500-EVB-Pico W5500-EVB-Pico is a microcontroller evaluation board based on the Raspberry Pi RP2040 and fu… -
晶振外接负载电容范围一般是多少pF?
2024-09-23晶振外接负载电容范围一般是多少pF? 答:外接负载电容通常指的是无源晶振的两个匹配电容,其选值范围分别为6pF~33pF。一般等值选取。 注: 如果外接电容选择错误,可能造成晶振起振困难、不起振或频偏超差。因此,在常见的无源晶振应用电路中,匹配电容的选取非常关键。 -
芯片对晶振外接匹配电容的配置要求
2024-09-09(该芯片推荐晶振负载电容为:最小值5pF,典型值7pF,最大值9pF) 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求,需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例:某款芯片对晶振外接电容配置说明如下: On-chip default connected capacitance including reference… -
关于外接电容COG(NPO)贴片电容选型注意事项
2024-08-18(无源晶振电路中的外接匹配电容CL1和CL2) COG(NPO)贴片电容简述 COG(NPO)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。 COG(NPO)贴片电容特性 具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围… -
如何更换蓝牙接受模块晶振?
2024-07-14如何更换蓝牙接受模块晶振? 答:首先确认蓝牙晶振的标称频率,一般蓝牙晶振的频率为:16MHz、24MHz、26MHz、32MHz、40MHz等。其次确认晶振的负载电容(CL),如:6pF、7pF、8pF、9pF、10pF、11pF、12pF、15pF、18pF、20pF等。负载电容(CL)选择错误容… -
关于负载电容的误区: 如何选择合适的电容器?
2024-06-05Myths around load capacitance – how to choose the right capacitors 关于负载电容的误区 – 如何选择合适的电容器 The load capacitance in the oscillation circuit is one of th… -
8MHz无源晶振典型应用电路说明(中英文)
2024-04-17关于8MHz无源晶振典型应用电路说明,晶诺威科技解释如下: 以STM32F为例:HSE 4-26 MHz oscillator characteristics The high-speed external (HSE) clock can be supplied with a 4 to 26 MHz…