2021-11-09

一般情况下，在保证标称频率一致的条件下（如33.333MHz替换33.333MHz，而不能替换33.33MHz），无源晶振替换原则在电气参数方面需遵循以下三点： 频率精度同值之间可相互替换或高精度替换低精度 同工作温度范围之间可相互替换或较宽工作温度范围替换较窄工作温度范围 负载电容CL需要等值替换…

2021-11-03

晶振在绝大数具有数字智能功能的电路板上是不可或缺的，因此选择合适的晶振尤为关键。 在晶振选型过程中，需要考虑的因素如下： 1、 选择所需标称频率的晶振，因为芯片与晶振输出频率是匹配关系。 2、 选择晶振频率精度，不同的芯片对晶振频率精度要求不同。如GPS芯片不仅对晶振的精度有着严格的要求，对低相噪低…

2021-11-02

（ESR for Crystal SMD3225 series） The ESR of a crystal is the resistance exhibited at series resonance, it is proportional to the power dissipated with…

2021-10-30

晶振封装发展趋势及特性 1、小型化、薄片化和片式化，目前常见尺寸如SMD3225、SMD2520、SMD2016 2、高精度与高稳定度，目前无补偿式晶振总精度能达到±25ppm，而VC-TCXO可控制在±0.5ppm。 3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频…

2021-10-23

不同于大多数芯片方案常用的Pierce电路，Colpitts电路也是电容三点式晶振电路的一种。实际上，Pierce电路衍生于Colpitts电路。Colpitts电路的驱动能力很弱，一般负阻只有200欧姆左右，而Pierce电路的驱动能力很强，一般负阻有10K左右。所以，Colpitts电路在做晶振…

2021-10-15

(晶诺威科技2520贴片晶振尺寸及焊盘示意图) 频率范围 f_nom=12.000MHz~50.000MHz 体积2.5x2.0x0.55mm 储存温度 T_stg -40℃~+125℃ (裸存) 工作温度 Tuse -40℃~+85°C (标准温度) 激励功率 DL= 10pW(100uW max…

2021-10-14

假设您在两个无源晶振32MHz之间选择：一个为负载电容CL=12pF，另外一个是负载电容 CL=20pF，所有其它参数都相同且芯片针对这两种晶振都支持，您应该选择哪一个？ 晶振的起振时间约在7~15毫秒。一般情况下，具备较低负载电容CL的晶振会有一个更快的起振时间，系统等待参时钟启动的时间更少，这样…

2021-10-09

假如晶振除了尺寸不同之外，其它电气参数都一致，比如唯一的区别为一个是2.0 x 1.6 mm 封装，而另一个是3.2 x 2.5 mm 封装，那么，会对性能有影响，还是只对所需的板子面积有影响？ 解释如下： 对于体积较小的晶振，内部的石英晶体体积也会较小，动态电容值则趋于较小，而动态电感较高，因此当…

2021-09-26

晶振选型 晶振选型时一般都要留出一些余量，以保证产品的可靠性。选用较高档的器件可以进一步降低失效概率，带来潜在的效益，这一点在比较晶振价格的时候也要考虑到。要使振荡器的“整体性能”趋于平衡、合理，这就需要权衡诸如稳定度、工作温度范围、晶体老化效应、相位噪声、成本等多方面因素，这里的成本不仅仅包含晶振…

2021-09-10

晶振选型请避开已逐步消失的晶振封装类型说明如下： 当前，随着晶振制造工艺及电子产品智能化及小型化的发展，已逐步消失的晶振封装类型有两种： 49U晶振 体积:11.05x4.65x13.2mm (49U晶振晶振产品图) 49U晶振晶振因体积大，制造成本高，已逐步被49S插件晶振替代。   U…