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12.5pF晶振配多大电容?
2025-03-1512.5pF晶振配多大电容?晶诺威科技解答如下: 对于12.5pF负载电容的晶振,匹配的外部电容值需要根据晶振的负载电容要求以及电路的杂散电容来计算。以下是具体步骤: 1、 负载电容公式 晶振的负载电容( CL) 由外部电容( C1 ) 和( C2) 以及电路的杂散电容( Cstray) 共同决定。… -
为什么石英晶振没有标注寄生电容?
2025-01-22(晶诺威科技晶体谐振器规格书) 为什么石英晶振没有标注寄生电容? 答:一般情况下石英晶振的寄生电容比较小,可以忽略不计。在晶诺威科技提供的一对一规格书中,该指标会有注明,一般小于3pF。 如下图所示:晶诺威科技产32MHz石英晶体谐振器SMD2016系列静电容(C0)实测数据均小于0.84pF。 注… -
关于负载电容的误区: 如何选择合适的电容器?
2024-06-05Myths around load capacitance – how to choose the right capacitors 关于负载电容的误区 – 如何选择合适的电容器 The load capacitance in the oscillation circuit is one of th… -
负载电容(CL)对晶振电路的影响
2024-03-15(16MHz无源晶振电路) 关于负载电容(CL)对晶振电路的影响,晶诺威科技解释如下: Generally, crystals with a higher load capacitance are less sensitive to parasitic pulling effects caused … -
无源晶振起振电路中的寄生电容越小越好吗?
2023-12-18无源晶振起振电路中的寄生电容越小越好吗? 答:是的,寄生电容越小越好。 关于寄生电容,晶诺威科技解释如下: 寄生电容越小对晶振输出频率影响越小。在无源晶振起振电路中,必须考虑到这些由寄生电容加在一起的杂散电容总值,如来自PCB和MCU引脚的寄生电容等。因此,晶振规格书中标注的晶振负载电容值CL并不等… -
常见无源晶振负载电容CL是多少pF?
2023-11-29常见无源晶振负载电容CL是多少pF?晶诺威科技解释如下: KHz无源晶振(晶体谐振器)负载电容CL:6pF、7pF、8pF、9pF、12.5pF MHz无源晶振(晶体谐振器)负载电容CL:6pF、7pF、8pF、9pF、10pF、12pF、15pF、18pF、20pF 静态电容C0的变化对晶振输出频… -
晶振的杂散电容指的是什么?
2023-07-21晶振的杂散电容指的是什么? 答:杂散电容又叫做寄生电容或分布电容。“晶振的杂散电容”并不是指无源晶振本身的某一电气参数,而是指杂乱的散布于电路板各处的处于变化状态的电容总值,这些杂散电容可能对无源晶振的输出频率精度及稳定性造成不确定性影响。一般情况下,杂散电容会因电路板的复杂程度及/或布线设计的不合… -
晶振皮尔斯振荡电路中的Rs,Rf,C1和C2的作用与取值说明
2023-06-01关于晶振皮尔斯振荡电路中的Rs,Rf,C1和C2的作用与取值,晶诺威科技解释如下: In general, the smaller the value of Rs , the faster the oscillator will start. Rs must be large enough to a… -
在晶振起振电路中的Cstray指的是什么电容?
2023-04-03在晶振起振电路中的Cstray指的是什么电容? Cstray,简称Cs,指的是晶振引脚至芯片管脚的走线电容(即杂散电容总和,包括电路走线、晶振引脚及芯片引脚的所有寄生电容)。一般Cstray的典型值取3~5pF或4~6pF之间。 因为电路板走线设计或复杂程度不同,杂散电容存在不同差异。需要指出的是,… -
无源晶振负载电容值CL匹配方法及说明
2022-06-16无源晶振有一个重要的参数,就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器的两端接入无源晶振,再有两个电容分别接到无源晶振的两端,每个外接电容的另一端再接到地(GND)。这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容。请注意一般IC的引…