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关于芯片STM32F103中LSE(低速时钟)32.768KHz晶振的选取2024-09-10关于芯片STM32F103中LSE(低速时钟)32.768KHz晶振的选取,晶诺威科技解释如下: 低速外部时钟 对于LSE,在STM32F103x8B_DS_CH_V10中说明如下: 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体谐振器构成的振荡器产生。在应用中,谐振器和负载电容必须尽可…
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晶振厂家规格书内的CL是什么含意?2024-05-20晶振厂家规格书内的CL是什么含意? 答:是指制作振荡器时加的负载电容,通常表示为CL,它是晶振在正常工作时需要连接的负载电容,用来与谐振器自身和外部电路形成谐振回路,这样其输出振荡频率才会准确。 在实际应用中,会根据不同的应用场景选择合适的负载电容晶振。 例如,在便携式电子设备中,通常希望降低功耗以…
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晶振负载电容匹配中的杂散电容Cs预估值一般是多少?2024-04-29晶振负载电容匹配中的杂散电容Cs预估值一般是多少? 答:一般在3~5pF或4~6pF。 杂散电容 又称为寄生电容或分布电容,是指电子电路中不经意间产生的电容效应。在晶振电路中,杂散电容主要来源于电路板上的导线、元器件之间的绝缘不完全或元件间距过小等因素。这些电容虽然微小,但却会对晶振的性能产生显著影…
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无线高数据速率模式下晶振选型及布线注意事项2024-03-14关于无线高数据速率模式下晶振选型及布线注意事项,晶诺威科技解释如下: 无线信号传输设备(如:蓝牙、Wi-Fi、ZigBee、Lora等)内部产生的频率都来自晶振所提供的频率(如:16MHz)。因此可以说,整个无线系统的性能主要取决于晶振参考频率的精度及稳定性。 对晶体振荡器的外部元器件应慎重选择,相…
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无源晶振电路中两端的电容起到什么作用?2023-11-11无源晶振电路中两端的电容起到什么作用?晶诺威科技解释如下: 只有在外部所接电容为匹配电容的情况下,振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。在某些情况下,也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率,当然可调范围一般在±10ppm量级。 常见晶振不良现象如下: 一、 晶振时振时不振。 1、晶振负载…