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低电源设计会对振荡器产生什么影响?2024-03-06低电源设计会对振荡器产生什么影响? 低电源设计对振荡器的影响主要体现在高频振荡器(OSCILLATOR)的设计上。这主要带来两个问题: 在设计高频OSCILLATOR时,可能会面临放大器低的高频增益及高的CRYSTAL等效电阻(ESR)。也就是说,低电源设计可能使得振荡器在高频下的性能受到影响,可能…
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无源晶振在电路中的使用条件2024-03-05关于无源晶振在电路中的使用条件,晶诺威科技归纳如下: 1、驱动级别(Drive level/DL) 如果晶振的激励功率标注为“100μW max.”,则意味着如果驱动功率太高(如:大于100μW),可能会导致晶体谐振器异常振荡或损坏)。 2、负载电容(Capacitance Load/CL) 要求电…
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为什么要测量晶振的负性阻抗-R?如何测量负性阻抗-R?2023-12-13一、为什么要测量晶振的负性阻抗-R? 测量负性阻抗目的是避免振荡器无法起振,振荡器无法起振的原因是负性阻抗宽裕度不够导致,为避免此现象发生于设计时负性阻抗一般至少是ESR的三倍(或五倍)以上,反之若负性阻抗太小时,则会发生偶尔不起振的现象。 石英晶体谐振器的两端往振荡电路看过去,排除石英晶体谐振器以…
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等效串联电阻Rs (ESR: Equivalent Series Resistance) 与负阻Negative Resistance2023-06-16关于无源晶振(晶体谐振器)起振电路中的等效串联电阻Rs (ESR: Equivalent Series Resistance) 与负阻Negative Resistance,晶诺威科技解释如下: Rs or equivalent series resistance (ESR) is a parame…
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如何满足石英晶体振荡器的振荡条件?2022-07-04石英晶体振荡器的振幅条件是振荡起动及能正常持续振荡的条件,回路上的负性电阻绝对值│-R│。 负性电阻 |- R| = Rtest + Re Rtest=与晶振串联连接纯电阻 Re=振荡时的有效电阻=R1(1+C0/CL)^2 建议振荡宽限为晶振等效串联电阻RR的5倍之上:│-R│≥ 5RR;电路进入…
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一种常用的测试裕量方法介绍:负性阻抗测试2022-06-15(负性阻抗测试) 在晶振电路中的同等条件下,增大电容负载,会降低裕量;提高反向放大器的跨导,会增大裕量;晶振内阻越大,裕量越小。反之亦然。 在真实的大规模生产中,最常用的测试裕量的方法是负阻测试,具体操作步骤如下: 在晶振支路上串联一个电阻,这个阻值的大小一般为3到5倍的晶振内阻(如果是医疗或汽车级…
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关于无源晶振振荡回路设计的四个注意事项2022-05-30关于无源晶振振荡回路设计的四个注意事项,归纳如下: 1、晶振振荡回路参数设置参考 2、晶振振荡补偿 除非在振荡电路中提供足够的负极电阻(负性阻抗/负电阻/-R),否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。 3、晶振负载电容 如果振荡电路中…
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无源晶振/石英晶体谐振器:驱动功率和负性阻抗2022-02-18关于无源晶振/石英晶体谐振器的两个相关重要参数“驱动功率”和“负性阻抗”,说明说下: 驱动功率( Drive Level ) 石英晶体的驱动功率(激励功率)是指石英晶体的消耗功率,一般是以微瓦(microwatt)表示。换句话说,驱动功率是指晶振在工作状态下所需的最小电源电压,需使用示波器和电源测试…
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晶振的牵引率Pullability及TS敏感度Trim Sensitivity2021-11-30晶振的牵引率(Pullability)及敏感度(Trim Sensitivity)解释如下: (晶振TS曲线) 石英晶振应用在并联振荡线路上,振荡频率与负载电容CL有很大的关系,是以并联振荡线路上FL频率对负载电容CL的变化曲线。 频率的“牵引率”(Pullability)指的是负载电容CL1的频率…
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晶振电路:Pierce电路的负性阻抗-R计算公式2021-11-13关于负性阻抗的概念,我们知道阻性元件都需要消耗功率,那么负性阻抗就是提供功率的器件,那就相当于激励源。 负性阻抗过小将导致晶振电路不起振,因此可以通过计算或测量负阻来防止驱动功率不足的问题。负性阻抗并不是石英晶体的产品参数,而是振荡电路的一项重要特性参数。振荡电路的负阻越大,振荡电路越容易起振。 注…